3月25日上午，在中科大西区第三教学楼B楼103教室，著名的半导体器件物理专家、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士、IEEE Celebrated Member施敏教授受聘为我校名誉教授。我校校长包信和院士为施敏教授颁发聘书，佩戴校徽。聘任仪式由微电子学院院长刘明院士主持。
包信和校长代表中国科学技术大学对施敏教授的到来表示热烈的欢迎。他介绍了目前合肥市半导体和微电子行业正处于快速发展的阶段。近年来，科大积极响应号召，开展“新工科”学科建设和创新型人才培养，并正积极统筹规划人工智能、大数据、信息和网络空间安全等学科领域的建设，微电子学科是其中重要的发展方向之一。施敏教授在半导体领域做出了突出的贡献，是华人的骄傲，此次受聘为我校名誉教授，将更好地鼓励我校师生在半导体行业做出更多的贡献。
施敏教授对包信和校长的致辞表示感谢，对中科大严谨踏实的学风表示赞赏，并希望同学们能够细致认真的学好专业知识，培养自己的科研兴趣，以及专注科研的精神。
聘任仪式上，刘明院士介绍了施敏教授的基本情况。施敏教授是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。因在半导体物理与器件研究方面做出的突出贡献，施敏教授于1991年获得IEEE电子器件最高荣誉奖——Ebers奖，2017年被评为IEEE电子器件著名会员（IEEE Celebrated Member）。
聘任仪式结束后，施敏教授为在场的师生带来了题为“The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution”的高水平学术报告。
在报告会上，施敏教授首先讲述了人类历史上的四次工业革命，目前正处于以人工智能、物联网、大数据、机器人为代表的第四次工业革命的开始阶段，中国抓住此次机遇，重点投入，大力发展，必将成为世界第一强国。以浮栅存储器的历史渊源作为兴趣导入点，图文并茂地分析了浮栅存储器的优点、原理及其发展历史。随后，施先生介绍了数码存储技术的发展历史，重点回顾了他本人发明浮栅结构非挥发性存储器的具体过程，讲述了浮栅存储器的工作原理、优点和随后的发展历程。然后，详细介绍了浮栅存储器的广泛的应用和对经济社会发展的深远影响，分析了浮栅存储器在尺寸微缩过程中面临的挑战以及各类新型非易失存储器的优点和前景，预测了存储器的未来发展趋势，将之与第四次工业革命的发展方向联系在一起，并再次鼓励同学们为中华之崛起而努力投入到半导体的学习中。
随后的互动环节，包括包信和校长、林福江老师在内的师生们积极互动，向施敏教授求证了包括存储器在技术上的温度控制、耗电量上的改善空间等专业问题，以及台湾微电子行业对于大陆的借鉴意义，他还给同学们的学习、生活、未来发展等问题提出了建议。当有一位同学提出希望施敏教授分享自己成功的关键因素时，教授语重心长地告诉大家，成功的要素主要有四个：家庭、大环境、机遇和自身努力，前三者都是不可控的，但是自身的勤奋努力是可控的，而且是每个科研人都必须要做到的，希望大家戒骄戒躁，严谨踏实。施敏教授的鼓舞增添了师生们对于微电子行业的信心以及积极进取的动力。在讨论专业话题的同时，他还不忘提醒大家智能型手机对于眼睛的伤害，以及如何保护我们的心灵之窗。
下午，施敏教授与微电子学院师生进行了座谈交流。座谈会上，微电子学院常务副院长龙世兵向施敏教授及在场的师生介绍了我院的基本情况及学院的未来发展规划。施敏教授与老师们探讨了微电子学科设置、学院的人才培养方向、挖掘人才潜力、校企合作以及人才国际交流的重要性，并表示台湾作为中国不可分割的一部分，在微电子行业已经处于世界领先的地位，大力发展微电子行业，将使21世纪成为我们中国的时代。大陆和台湾地区可以增加互相交流学习的机会，还提出可以借鉴台湾交通大学和台湾大学的人才培养模式。让人印象深刻的是，随行的陈军宁教授提到，施敏教授至今仍然保留着一份答卷，这份答卷属于他很欣赏的一位学生的，这种把学生放在首位，专注于教学和科研的精神令人感动。施教授称赞中科大的同学专业素质过硬，有科研的潜力，希望大家依托科大扎实的数理背景，培养自身的科研素质和兴趣，并持之以恒，为祖国的科研事业添砖加瓦。
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施敏，1936年出生于南京，美籍华人。现任中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、中国台湾中央研究院院士、中国台湾工业研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年获得IEEE电子器件最高荣誉奖（Ebers奖）；2017年与Gordon E Moore（摩尔定律之父）共同获得IEEE Celebrated Member（尊荣会员）称号，目前全球仅10位科学家获此殊荣，包括1973年诺贝尔物理奖得主Leo Esaki、2000年诺贝尔物理奖得主Herbert Kroemer及2009年诺贝尔物理奖得主George E. Smith。
施敏先生是国际著名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术等领域作出了奠基性、前瞻性和开创性的贡献（2017 IEDM Plenary Awards评）。施敏先生发明的非挥发MOS场效应记忆晶体管（闪存）已成为当今世界上集成电路产业主导产品之一，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件，还促进了人工智能、大数据、云计算、物联网、机器人和固态驱动器等技术的发展。因此项发明，他已多次获得诺贝尔物理奖提名。
施敏先生在微电子科学技术著作方面举世闻名，所著的《半导体器件物理学》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及应用科学领域最畅销的教科书之一，曾被翻译成六种语言，销售超过600万册，引用次数达47500多次，有“半导体界的圣经”之称。