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第十四届中国电子信息技术年会宽禁带半导体技术及未来智联网分论坛成功举办
作者:赵锐 来源:中国科大微电子学院 阅读次数:13 日期:2019-04-25
  

      420日上午,第十四届中国电子信息技术年会在合肥召开。省委常委、常务副省长邓向阳,工业和信息化部党组成员、总工程师,中国电子学会理事长张峰出席并致辞。北京理工大学校长张军、中国电子科技集团总经理吴曼青等20余名中国科学院、中国工程院院士参加会议。我院作为第十四届中国电子信息技术年会—宽禁带半导体技术及未来智联网分论坛的主要承办单位,共邀请了近30位本领域的专家及知名企业高管,其中十二位专家带来了精彩的专题报告,会场内高朋满座,气氛庄重而热烈。


421日下午13:30,宽禁带半导体技术及未来智联网专题论坛由中国科学技术大学微电子学院常务副院长龙世兵教授拉开序幕。作为论坛主持人,他介绍了此次论坛的主题,即围绕支撑未来智联网发展的新型半导体材料、器件与应用技术,就如何服务于大数据+、万物互联、智慧城市等领域,以主题报告和专题报告的形式进行讨论。

   北京大学长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者和基金委创新研带头人、国家973计划项目首席科学家沈波教授介绍了GaN基外延薄膜及其量子结构的大失配外延生长、强极化/高能带阶跃半导体中载流子输运和自旋性质以及GaN基微波射频器件和功率电子器件,成功解决了Si(100)衬底上由于表面重构导致的两种等效畴混晶生长的难题,实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。

随后来自中国电科集团的李忠辉研究员、中国科学院微电子研究所的黄森研究员、中国科学院苏州纳米所的秦华研究员、西安电子科技大学的冯倩教授、南京大学的陆海教授、华中科技大学的唐江教授、海信集团技术总监郭汝海博士、合肥彩虹蓝光科技有限公司技术中心主任唐军博士、南方科技大学的刘召军副教授、中国科学院半导体研究所的孙国胜教授、北京天科合达半导体有限公司技术总监刘春俊博士分别带来了GaN HEMT外延材料、GaN基功率电子器件关键技术与集成研究、宽禁带半导体紫外单光子探测器、X射线探测和单基质白光发射等相关的报告。与会人员展开全维度的深度讨论,一阵阵充满思想碰撞的头脑风暴将论坛不断推向高潮。

本次论坛作为第十四届中国电子信息技术年会第六个专题分论坛,由中国科学技术大学、西安电子科技大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、合肥彩虹蓝光科技有限公司及中科汉天下微电子有限公司联合举办,邀请了本领域知名专家共同探讨核心技术和产业方向,在重要突破点和方向上达成共识,为产业界和学术界提供了重要资讯。





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