2021年4月15日，西安电子科技大学的周弘，受邀在中科大西区电二楼208会议室为学校师生作了题为“超宽禁带半导体氧化镓功率器件最新研究进展”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院孙海定研究员主持。
上午11：30点，讲座正式开始。孙海定研究员首先对周弘教授做了简短的介绍：周弘教授是国家海外高层次留学归国人员。2010年在电子科技大学微电子技术专业获得学士学位，2017年在美国普渡大学获得博士学位，2017年5月-2018年2月在美国加州大学伯克利分校从事博士后研究。2017年12月加入西安电子科技大学微电子学院以及宽禁带半导体国家工程研究中心。周博士近10年来先后师从IEEE和APS Fellow普渡大学杰出教授叶培德、美国工程院院士/国家科学奖章获得者胡正明教授以及中国科学院院士郝跃教授。一直从事新型半导体功率器件、微波器件以及逻辑器件的结构、工艺与机理研究，包括宽禁带半导体GaN肖特基二极管（SBD）与高电子迁移率晶体管（HEMT）,超宽禁带半导体β-Ga2O3和AlN SBDs与FETs等微波功率与电力电子器件，Si、InGaAs 亚10 nm节点的NC-FinFET、GAA。周博士在国际主流期刊和会议上发表学术论文80余篇，其中ESI高被引论文5篇。以第一或通讯作者在领域顶级期刊包括IEEE EDL、IEEE TED、IEEE Trans. on Power Electronics、IEEE Trans. on Industrial Electronics、APL等期刊上发表论文40余篇；以第一作者在半导体领域顶级会议包括VLSI和DRC上发表会议论文20余篇；研究成果被国际知名行业杂志《Compound Semiconductor》《Semiconductor Today》《Controlled Environment》《Nano werk》《Physorg.com》等近10余次报道，在国际会议做特邀报告或口头报告15次，Google学术引用超过1800次。
孙海定研究员介绍完毕之后，与会师生对周弘教授的个人履历及研究方向有了基本的认识，在大家的热烈掌声中，周弘教授开始了他的报告。报告首先介绍了超宽禁带半导体氧化镓高击穿场强、高电子饱和速率与低成本大尺寸熔融衬底的特有属性，正因为这些特殊性能，氧化镓被认为是下一代电力电子器件最有力的竞争者。然而，氧化镓的超宽禁带和氧化物的天然特性决定了其p型掺杂较难与低热导率属性，从而限制了其在电力电子方面的大规模推广与应用。周弘教授针对氧化镓应用于电力电子器件面临的痛点，着重介绍了氧化镓功率器件与新结构的探索过程、有效的散热方案与p型掺杂问题的解决途径、拥有国际最高指标的氧化镓JBS与JFET。该报告为从事氧化镓研究的老师与同学提供许多研究新思路。
报告结束后，在座的老师和同学们积极与周弘教授交流讨论，现场氛围非常活跃。老师和同学们主要在氧化镓功率器件的性能、成本以及产业化进程等方面提出了自己的想法和疑问，周弘教授乐此不疲地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法，此次讨论详细且充分，对师生们的研究和学术具有积极的推动作用。最后，周弘教授和部分师生合影留念，为本次高水平学术报告画上了圆满的句号。
结语：研究生高水平学术前沿讲座会不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。