2021年5月14日，山东大学的陈杰智教授，受邀在中科大西区三教A206教室为学校师生作了题为“三维架构大容量闪存芯片：从材料到系统”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院孙海定研究员主持。

    上午10：30点，讲座正式开始。孙海定研究员首先对陈杰智教授做了简短的介绍：陈杰智教授是IEEE高级会员，山东大学信息科学与工程学院教授，国家海外青年特聘专家,研究领域包括非挥发性存储器可靠性、低功耗纳米器件、存储芯片系统与存算设计。于2009年博士毕业于东京大学，2010年入职日本东芝研发中心，从事硅基晶体管纳米器件、闪存芯片、以及固态硬盘的研究，于2016年到山东大学任教。其主要学术成果于2008-2020间十余次在微电子领域顶级国际权威器件研究会议IEDM和VLSITechnology做报告，获得二十二项美国专利和日本专利授权。IEEE IRPS国际可靠性物理会议内存分会主席，IEEE IEDM国际电子器件会议技术委员，IMW国际内存会议科学技术委员。

    孙海定研究员介绍完毕之后，与会师生对陈杰智教授的个人履历及研究方向有了基本的认识，在大家的热烈掌声中，陈杰智教授开始了他的报告。随着大数据和人工智能等新兴技术的兴起，需要存储分析的数据信息正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限，继续提高集成密度，三维立体闪存存储器已逐步取代二维平面闪存存储器成为大容量非挥发存储器的主流产品形态。相对于平面架构，三维NAND闪存可以提供更大的存储密度，更低的产品成本和更高的可靠性特性。然而，由于三维NAND闪存的特殊单元结构和制备工艺，其可靠性问题与平面架构闪存芯片有很大不同。本报告将介绍闪存技术的最新研究进展，并着重讲述从材料到系统的可靠性优化策略及方案。

    报告结束后，在座的老师和同学们积极与陈杰智教授交流讨论，现场氛围非常活跃。老师和同学们主要在存储器的性能、成本以及产业化进程等方面提出了自己的想法和疑问，陈杰智教授乐此不疲地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法，此次讨论详细且充分，对师生们的研究和学术具有积极的推动作用。

结语：研究生高水平学术前沿讲座会不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。