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研究生高水平学术前沿讲座——浙江大学杨树教授受邀中科大微电子学院作学术前沿报告
作者:赵锐 来源:中国科大微电子学院 阅读次数:10 日期:2021-11-15
  

  2021119日,浙江大学的杨树教授,受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“氮化镓功率器件及功率集成”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座,由微电子学院徐光伟老师主持。

  上午1010分,讲座正式开始。徐光伟老师首先对杨树教授做了简短的介绍:杨树,国家青年人才计划入选者,浙江大学研究员,博士生导师,电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位,于香港科技大学获博士学位;曾在香港科技大学担任客座助理教授、于剑桥大学从事博士后研究。长期专注于宽禁带半导体氮化镓(GaN)功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件,功率品质因数国际较为领先;实现了无动态电阻退化的新型垂直GaN器件,克服了长期困扰传统平面型GaN器件的动态性能退化难题;提出了针对GaN器件的新型界面氮化方法,实现了GaN器件栅极可靠性的提升。在IEEE EDLIEEE T-ED和功率器件领域国际顶级会议IEEE ISPSD等发表SCI/EI论文80篇。2018年获IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award,是该奖项创立30年来首位中国大陆获奖者;2020年获得中国电源学会优秀青年奖、中达青年学者奖。担任中国电源学会女科学家工作委员会副主任和元器件专委会委员,IEEE OJ-PEL编委,IEEE JESTPE客座编委,IEEE ISPSD技术委员会委员。

  徐光伟老师介绍完毕之后,与会师生对杨树教授的个人履历及研究方向有了基本的认识,在大家的热烈掌声中,杨树教授开始了她的报告。报告主要介绍了GaN功率器件的研究背景和现状。功率半导体器件是电能在发、输、变、配、用各环节的核心元件,当前大多数的电能变换主要采用硅基功率器件,然而经历了四十余年的发展后,硅基功率器件的性能正在趋近其材料特性决定的本征极限。宽禁带半导体氮化镓(GaN)功率器件能够在电力电子应用中提供高频率、小尺寸、低功耗、高能效等理想性能,在航空航天、大数据中心、新能源汽车充电、激光雷达等领域具有广阔的应用前景。在本次讲座中,分为以下4个方面展开了介绍:1GaN材料、器件与应用现状,2)常关型GaN器件及其可靠性,3GaN器件动态特性退化机理,4GaN功率集成技术。此外,基于前期工作的基础,杨树教授还向大家分享了新型GaN器件技术展望以及未来发展方向的一些思考。

  报告结束后,在座的老师和同学们积极与杨树教授交流讨论,现场氛围非常活跃。老师和同学们主要对如何提高GaN功率器件性能、解决栅极驱动以及动态电阻退化效应展开讨论,杨树教授乐此不疲地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法,此次讨论详细且充分,对师生们的研究和学术具有积极的推动作用。最后,杨树教授和部分师生合影留念,为本次高水平学术报告画上了圆满的句号。

结语:研究生高水平学术前沿讲座会不定期举行,请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息,珍惜机会,积极参加。


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