2021年12月7日，中科院微电子所高级工程师刘璟，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“半导体非易失存储器（侧重Flash）技术进展及发展趋势”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院赵晓龙老师主持。

  讲座正式开始于上午10点，首先赵晓龙老师对刘璟高级工程师做了简短的介绍：刘璟，博士，中国科学院微电子研究所高级工程师，合肥中科微电子创新中心有限公司副总经理，从事先进非易失存储器技术及高性能存储芯片研发工作。主持和参与我国存储领域“863”、“973”、02科技重大专项、科技部重点研发计划等重点研究项目十余项，所开发的多款存储产品已经实现高等级应用。在IEEE IEDM、IPRS、EDL等国际学术期刊和会议上发表论文30余篇，获得/申请专利90余项，其中26项授权/受理发明专利许可给长江存储。作为主要完成人获得2018年度中国科学院杰出科技成就奖。

  赵晓龙老师介绍完毕后，参会师生对刘璟高级工程师的个人履历及研究方向有了基本的认识，在大家的热烈掌声中，刘璟高级工程师开始了报告。报告介绍了半导体存储器是微电子技术发展的重要研究领域和支撑技术，以Flash为代表的非易失存储技术已经在通讯信息、社会安全、军事航天、消费电子等各个领域得到广泛的应用，并成为国家竞争力的重要体现。本报告首先对主流非易失存储技术——Flash技术的基本理论、器件、电路及工艺技术做综合讲解；第二部分重点介绍Flash技术从微米级到28nm工艺节点的演进历程及趋势，以及RRAM、FRAM等新型存储技术的发展现状；最后将讨论我国自主高性能存储芯片的产业现状及前景。

  报告结束后，在座师生积极与刘璟高级工程师交流讨论，现场氛围非常活跃。同学们主要针对非易失存储技术的研究难点与发展方向提出了自己的想法和疑问，刘璟高级工程师也耐心地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法。讨论过程详细且充分，对师生们的学术研究具有积极的推动作用和深刻的指导意义，同时为本次高水平学术报告画上了圆满的句号。

结语：研究生高水平学术前沿讲座将不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。