朱晨昕博士现任中国科学技术大学微电子学院特任教授、博士生导师。主要研究方向为新型半导体器件设计与制备、异质集成、以及先进半导体存储器。主要应用包括柔性电子、可穿戴智能感知、智能存储等。发表高水平学术期刊30余篇，包括Nature Electronics, IEEE EDL, Science等，获授权多项国际、中国发明专利。主持或参与多项国家级省级科研项目、企业合作研究项目等。

2023.10 - 至今    中国科学技术大学 微电子学院 特任教授

2021.10-2023.10         美国因特尔公司 高级资深工程师

2018.12-2021.09         美国斯坦福大学 工程学院 研究员

2014.12-2018.11         美国斯坦福大学 电子工程系 博士后

2012.09-2014.11         南京大学 电子科学与工程学院 博士后

2007.09-2012.06         中国科学院微电子研究所 微电子与固体电子学 博士

 C. Zhu#, A. Chortos, Y. Wang, R. Pfattner, T. Lei, A. C. Hinckley, I. Pochorovski, X. Yan, J. W-F To, J. Y. Oh, J. B-H Tok, Z. Bao*, B. Murmann*. Stretchable temperature-sensing circuits with strain suppression based on carbon nanotube transistors, Nature Electronics, 2018, 1(3): 183-190, 262.

 C. Zhu#, H.-C. Wu, G. Nyikayaramba, Z. Bao*, B. Murmann*. Intrinsically stretchable temperature sensor based on organic thin-film transistors, IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(10): 1630-1633, 37.

 C. Zhu#, Z. Bao*. Skin-inspired Electronics for Emerging Display Technology, SID Symposium Digest of Technical Papers, 2021, 52(1). (Invited Paper).

 Y. Kim#, C. Zhu#, W.-Y. Lee, A. Smith, H. Ma, X. Li, D. Son, N. Matsuhisa, J. Kim, W.-G. Bae, S. H. Cho, M.-G. Kim, T. Kurosawa, T. Katsumata, J. W. F. To, J. Y. Oh, S. Paik, S. J. Kim, L. Jin, F. Yan, J. B.-H. Tok, Z. Bao*. A Hemispherical Image Sensor Array Fabricated with Organic Photomemory Transistors, Advanced Materials, 2023, 35(1): 220354, 4.

 Y. Wang#, C. Zhu, R. Pfattner, H. Yan, L. Jin, S. Chen, F. M.-Lopez, F. Lissel, J. Liu, N. I. Rabiah, Z. Chen, J. W. Chung, C. Linder, M. F. Toney, B. Murmann, Z. Bao*. A highly stretchable, transparent, and conductive polymer, Science advances, 2017, 3(3): e1602076, 758.

 A. Chortos#, C. Zhu, J. Y. Oh, X. Yan, I. Pochorovski, J. W.-F. To, N. Liu, U. Kraft, B. Murmann, Z. Bao*. Investigating limiting factors in stretchable all-carbon transistors for reliable stretchable electronics, ACS nano, 2017, 11(8): 7925-7937, 56.

 J. Xu#, S. Wang#, G. N. Wang, C. Zhu, S. Luo, L. Jin, X. Gu, S. Chen, V. R Feig, J. WF To, S. R.-Gagné, J. Park, B. C Schroeder, C. Lu, J. Y. Oh, Y. Wang, Y.-H. Kim, H. Yan, R. Sinclair, D. Zhou, G. Xue, B. Murmann, C. Linder, W. Cai, J. B-H Tok, J. W. Chung, Z. Bao*. Highly stretchable polymer semiconductor films through the nanoconfinement effect, Science, 2017, 355(6320): 59-64, 926.

 R. Yang#, C. Zhu#, J. Meng, Z. Huo, M. Cheng, D. Liu, W. Yang, D. Shi, M. Liu*, G. Zhang*. Isolated nanographene crystals for nano-floating gate in charge trap memory. Scientific reports, 2013, 3(1): 2126, 60.

 X. Li#, C. Zhu*, X. Zhu, Z. Xu, X. Zhuang, X. Ji, F. Yan*. Background limited ultraviolet photodetectors of solar-blind ultraviolet detection. Applied Physics Letters, 2013, 107(17), 171110.

 C. Zhu#, Z. Xu, Z. Huo, R. Yang, Zhu, Z. Zheng, Y. Cui, J. Liu, Y. Wang, D. Shi, G. Zhang, F. Li, M. Liu*. Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy, Applied Physics Letters, 2011, 99(22), 223504.

 C. Zhu#, Z. Huo, Z. Xu, M. Zhang, Q. Wang, J. Liu, S. Long, M. Liu*. Performance enhancement of multilevel cell nonvolatile memory by using a bandgap engineered high-κ trap layer, Applied Physics Letters, 2010, 97(25), 253503. (Research Highlight).

 THREE DIMENSIONAL AND MULTI-VALUED NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, WIPO, WO/2012/000442.