7月29日-30日，集成电路实验中心开放日系列活动再添新场，ICPCVD、PECVD等离子体化学气相沉积设备精细化培训顺利开展。本次培训聚焦薄膜沉积类核心工艺设备，帮助参训学生厘清设备差异、掌握工艺逻辑、规范操作流程，进一步夯实微纳薄膜制备与器件工艺实训基础。

  化学气相沉积（CVD）工艺是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生化学反应，生成固态物质并沉积在硅片表面，从而形成高性能固体薄膜。PECVD与ICPCVD是集成电路、微纳器件制备中最常用的两类薄膜沉积设备，也是实验中心支撑师生科研与教学实验的核心装备。其中，PECVD主要用于沉积SiO₂、SiNx、a-Si、PSG、BPSG等薄膜材料等，最大支持8英寸晶圆，兼容6英寸及以下尺寸的整片及不规则小片；ICPCVD则依托高密度感应耦合等离子体源，主要用于低温高致密SiO₂、SiNx、SiON、a-Si等薄膜沉积工艺和SiO₂填充、表面修平工艺等，配置高温机械电极，最大支持8英寸晶圆，兼容6英寸及以下尺寸的整片及不规则小片。

  培训过程中，实验中心工程师结合两款设备的结构差异与工艺特点，开展针对性精细化教学，重点介绍了PECVD、ICPCVD的设备组成、等离子体激发原理与安全操作体系，对比两款设备在沉积温度、工艺气压、等离子体状态、适用材料、工艺优缺点上的核心区别，帮助学生建立的完整的工艺思维。参训学生全程认真学习、积极提问，针对不同薄膜材料的工艺选择、参数优化、设备使用注意事项与工程师深入交流，进一步厘清了两款沉积设备的适用场景与工艺边界。

  本次专项培训，是实验中心深化实践育人、推进产学研融合的重要举措。通过对PECVD、ICPCVD两类主流沉积设备的系统化精细培训，进一步完善了薄膜工艺方向的实训体系，丰富了学生的工艺知识储备与设备操作经验，为学生开展微纳器件、集成电路、新型半导体材料相关科研实验提供坚实设备与技术支撑。

（集成电路学院、国家示范性微电子学院、集成电路实验中心）