青春正激昂，运动正当时。10月20日下午，微电子学院在高新校区足球场举办了院内足球赛。微电子学院大一和大二本科班组成的白队共14人，以及大三和大四本科班组成的红队共13人，共同在午后的绿茵场上激扬青春、挥洒汗水。下午两点，裁判一声哨响，比赛正式开始。本场比赛分为三节，每节三十分钟。在第一节中，白队采用偏向防守的阵容，安排了四后卫的阵容，而红队则采取进攻性战略，运用边锋与中锋频繁的交叉跑位威胁白队球门。由于白队的防守较为严密，使红队的攻势一时难以转化为进球，但红队防守也毫不逊色，屡屡切断白队进攻球员间的联系。比赛进行至此，双方各有攻守，场面精彩，只差进球的出现。在上半场接近尾声时，红队利用角球展开攻势，...

2024年10月12日，由我院主办的“中国科大光电融合暨光子计算研讨会”在中国科学技术大学高新园区图书教育中心GT-C103成功举办。此次研讨会由林福江教授主持，校党委常委、副校长吴枫出席会议并讲话，会议邀请了多位知名专家学者，包括山东大学信息学院黄卫平教授（中国科大826硕士校友）、安徽省光学学会秘书长谢品华研究员、山东大学赵佳教授、中国科大物理学院王安廷副教授，以及我院马平特任教授、楼立恒副研究员，他们就光电融合和光子计算领域的科技进展、产业化进程以及未来发展方向进行了深入探讨，特别是在基础理论、紧凑建模与仿真工具、设计方法等光电融合的重要研究内容上，为与会师生带来了精彩的学术盛宴。吴枫在致辞中，向参会领导...

  近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS, VGS)”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Transactions on Power Electronics。  GaN HEMT具备高开关频率、低导通损耗能力，可实现高功率密度和高效率的电力电子变换器，在消费类电子、数据中心、新能源汽车车载充电与激光雷达等领域中具有广阔应用前景。然而极快的开关速度使得基于GaN器件的变换器存在开关振荡问题，包括电压...

       近日，中国科学技术大学微电子学院胡芹特任研究员课题组在钙钛矿软X射线探测器研究中取得新进展。团队基于钙钛矿半导体薄膜缺陷调控和PIN垂直型器件结构设计策略，实现了目前钙钛矿软X射线探测器中的最高量子效率。相关成果以“Flexible Soft X-Ray Image Sensors based on Metal Halide Perovskites With High Quantum Efficiency”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》上，并被选为卷首插图（图1）。图1. 《Advanced Materials》论文卷首插图自1895年被首次发现以来，X射线已经被广泛应用于医疗诊断、工业探伤、安防安检等各个重要领域，其中X射线面阵探测器是X射线成像设备中的关键部件。而针对软X射线波...

2024年9月20日，北京大学博雅讲席教授沈波教授受邀在中国科学技术大学西区火灾特种楼二楼报告厅为学校师生作“第三代半导体技术和产业”学术讲座。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，吸引了来自我校微电子学院、物理学院、先进技术研究院、核科学技术学院、纳米学院等多个学院师生参加。沈波教授是北京大学博雅讲席教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任，长期从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了一系列研究成果，先后主持参加了20多项国家级科研项目，发表高质量论...

近日，由共青团中央、商务部、国家卫健委、国家税务总局、湖北省政府共同主办的第十一届中国青年创青春大赛（科技创新专项）决赛在湖北省武汉市举行。经过激烈角逐，我院学子方纪明牵头的项目《湃涡科技——开创5G射频“芯”纪元》在本次大赛中荣获金奖。（项目负责人方纪明在决赛现场参加路演）创青春中国青年创新创业大赛始于2014年，是国内影响范围最广、最受关注的青年创新创业重大赛事活动之一。其中，科技创新专项赛共设置创新组、初创组和成长组三个组别，并下设光电子等新一代信息技术产业，新能源与智能网联汽车产业，医工交叉与生命健康产业，智能制造及高端装备产业，北斗、未来及其他产业五条赛道。今年，科技创新专项赛共吸引全国6000...

 近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaN Lab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分辨率、高集成度、低能耗等特点，为实现高精度深紫外光刻提供了一种新的路径和方法。这项研究成果以“Vertically Integrated Self‐Monitoring AlGaN‐Based Deep Ultraviolet Micro‐LED Array with Photodetector Via a Transparent Sapp...

  近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modulation”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics。  垂直型GaN功率电子器件能够拓展传统GaN器件的电压和功率等级，并具有优异的散热和动态性能。在智能工业电子、航空航天等复杂电气环境中，功率二极管作为能量转换的核心元件之一，通常需要能够承受因过冲、静电、电路故障等原因而产生...

近期，合肥市频繁遭遇小级别地震，虽然地震并未造成重大损失，但无疑为全体师生敲响了安全警钟。在此背景下，微电子学院2024级代培生班级积极响应学校号召，于9月27日晚，全员集结于东区理化大楼报告厅，共同参与了一场别开生面的地震灾害常识及逃生自救讲座。此次活动旨在进一步增强广大师生的安全防范意识，提升应对自然灾害的自我保护能力，为构建平安校园添砖加瓦。讲座邀请了安徽省户外运动协会（AOS）常委/力量应急救援专业委员会（PER）主任及安徽省红十字救援队专家委员仁怀阳为同学们讲述了地震发生时应当采取的正确逃生方法，并详细阐明了哪些行为是极其危险的，比如盲目跳楼、乘坐电梯逃生等，这些实用而具体的指导，让同学们深刻认识...

9月18日和25日，微电子学院2024级的代培生们，怀揣着报效国家的热忱之心，分批次参观了中国科学技术大学校史馆和博物馆。本次参观不仅帮助同学们深入了解科大历史，更是一次精神洗礼，激励同学们以老一辈科学家为榜样，积极为国家芯片事业的发展贡献自身力量。博物馆参观期间，同学们被馆内丰富的展品深深吸引，它们不仅展示了学校不同时期的文化、艺术、历史风貌，更让同学们感受到了科大在社会文化传承中的重要作用。一件件历史文物和图片让同学们深刻感受到了古代中国人民的思想智慧与创造力，也更加深刻地感受到了中华优秀传统文化的博大精深。随后，同学们移步至校史馆，先后参观了国运所系、大师云集等多个展厅。在这里，同学们看到了学校...