近日，被誉为“集成电路设计奥林匹克大会”的第72届国际固态电路会议（International Solid-State Circuits Conference, ISSCC）在美国旧金山召开。2月16日晚，大会颁发了2024-2025年度IEEE固态电路学会博士成就奖（IEEE SSCS Predoctoral Achievement Award），全球共计26名优秀博士生获此殊荣，我院程林教授课题组博士生靳吉荣获该奖。 该奖项始设立于1983年，每年2月中旬在美国旧金山召开的IS...
近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的四款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域著名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2025于今年2月16日至20日在美国旧金山举行。 该课题组的潘东方特任研究员以及靳吉、尚铭皓和黄琪...
近日，我院胡芹特任研究员课题组与合肥光源催化与表面科学线站的科学家合作，在无铅钙钛矿光伏器件研究中取得重要进展。研究团队不仅成功利用光诱导界面掺杂调控策略有效提升了锡基光伏器件的效率和稳定性，还通过设计独特的基于同步辐射X射线光电子能谱技术的原位光照实验装置，深度剖析了光诱导界面掺杂调制的物理机制。光电子能谱原位测试分析表明，光诱导界面掺杂的存在能够改善锡基钙钛矿能带匹配，促进载流子的分离和...
近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN实验室联合合肥微尺度物质科学国家研究中心熊宇杰教授团队和武汉大学刘胜院士团队，在光电化学制氢领域取得重要进展。研究团队通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时（首次将光电极寿命从“小时级”（<100小时）推进至“月级”），成功突破了传统光电制氢装置在效率和...
近日，我院左成杰教授课题组一篇射频集成电路（RFIC）设计论文入选2024年第九届集成电路与微系统国际会议（The 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, ICICM）。ICICM 2024于10月25日至27日在湖北武汉举办。该研究成果获得了ICICM 2024的最佳论文奖以及最佳报告奖。 随着物联网（IoT）技术的发展，对超低功耗（ULP）无线传感器网络（WSN）的需求逐渐增加。事件驱动型唤...
2024年10月12日，由我院主办的“中国科大光电融合暨光子计算研讨会”在中国科学技术大学高新园区图书教育中心GT-C103成功举办。此次研讨会由林福江教授主持，校党委常委、副校长吴枫出席会议并讲话，会议邀请了多位知名专家学者，包括山东大学信息学院黄卫平教授（中国科大826硕士校友）、安徽省光学学会秘书长谢品华研究员、山东大学赵佳教授、中国科大物理学院王安廷副教授，以及我院马平特任教授、楼立恒副研究员，他们就光电融...
近日，中国科学技术大学微电子学院胡芹特任研究员课题组在钙钛矿软X射线探测器研究中取得新进展。团队基于钙钛矿半导体薄膜缺陷调控和PIN垂直型器件结构设计策略，实现了目前钙钛矿软X射线探测器中的最高量子效率。相关成果以“Flexible Soft X-Ray Image Sensors based on Metal Halide Perovskites With High Quantum Efficiency”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》上，并被选为卷首插图...
2024年9月20日，北京大学博雅讲席教授沈波教授受邀在中国科学技术大学西区火灾特种楼二楼报告厅为学校师生作“第三代半导体技术和产业”学术讲座。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，吸引了来自我校微电子学院、物理学院、先进技术研究院、核科学技术学院、纳米学院等多个学院师生参加。沈波教授是北京大学博雅讲席教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任，长期从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基薄...
近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaN Lab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分辨率、高集成度、低...
近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modulation”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics。 垂直型GaN功率电...
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授和高南特任研究员团队在自旋神经形态器件研究中取得新进展。研究团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发了具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示了其在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果以“An Antiferromagnetic Neuromorphic Memory Based on Perpendicularly Magnetized CoO”为题，近期发表在国际知名学术期刊《Nano Letters》上，并被选为封...
近日，我院孙海定教授和左成杰教授课题组在光电神经突触器件领域取得重要进展。受四色视觉系统的启发，研究团队报告了一种塑性可调控的宽光谱四色神经形态视觉突触器件。这种器件基于二维过渡金属硫族化合物和块状体材氮化镓（GaN）垂直堆叠而成的双通道浮栅晶体管架构，在电和光刺激的协同作用下，该器件成功地模拟了四色突触的基本行为。该成果以“Broadband Artificial Tetrachromatic Synaptic Devices Composed of 2D/...
近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积 (ALD) 制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对 high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍 DRAM 技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质 k 值，同时降低了漏电。相关成果以“Oxidizer Engineering ...
中国科学报科学网消息：近日，中国科学技术大学（以下简称中国科大）特任研究员胡芹课题组成功构建钙钛矿同质结，促进了光生载流子的分离和提取，并进一步分析了缺陷形成机制。光伏器件效率和稳定性的同步提升，证明了同质结构筑策略在非铅锡基钙钛矿太阳能电池领域的应用潜力，也为其他钙钛矿光电器件的结构优化提供了新思路。相关研究成果发表于《纳米快报》，并被选为封面论文。 ...
