近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组在氧化镓高能光子探测器研究中取得新进展。针对宽带隙半导体高能光子探测器在探测灵敏度及响应速度等方面的不足，该课题组基于多晶富镓的氧化镓材料（PGR-GaOX）首次提出通过耦合界面热释电效应和光电导效应来提高探测性能的设计策略，该工作充分体现了热释电效应在半导体光电探测领域的应用潜力，为实现高灵敏、高速探测器提供了一种新的参考，相关成果以“Pyroele...
近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的五款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域知名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2024于今年2月18日至22日在美国旧金山举行。该课题组的季逸超、靳吉、陈昶金、葛俊飞和王保创五位同学分别入选论文的第一作者，程林...
近日，我院胡芹研究员课题组与华侨大学材料科学与工程学院的吴季怀教授团队合作，提出了基于类催化剂系统调控钙钛矿半导体薄膜的转化反应动力学，成功应用于高效稳定光伏器件的制备。相关成果以“A Catalyst‐like System Enables Efficient Perovskite Solar Cells”为题于2月9日在线发表在学术期刊《Advanced Materials》上。图1 (a) 可循环反应的模型。(b) 钙钛矿太阳能电池的J-V曲线图和稳定性测试...
近年来，二维磁性材料已成为学术界广泛关注的焦点领域，这一领域的研究不仅推动了高磁阻率的磁性隧道结和自旋场效应晶体管等自旋器件的发展，还为基于自旋波磁振子的量子比特互联等新型应用提供了无限可能性。值得注意的是，铁磁共振（FMR）技术在自旋电子学领域扮演着关键的角色，因为它能够直接探测二维磁性材料的自旋激发，从而揭示了关键特性，如磁相互交换作用、磁各向异性、旋磁比、自旋-轨道耦合、阻尼率和磁畴结构等。2023...
近日，中国科大微电子学院胡诣哲与林福江课题组设计的一款基于全新电荷舵采样（Charge-Steering Sampling, CSS）技术的极低抖动毫米波全数字锁相环（CSS-ADPLL）芯片入选2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits（以下简称VLSI Symposium）。VLSI Symposium是超大规模集成电路芯片设计和工艺器件领域最著名的国际会议之一，也是展现IC技术最新成果的橱窗，今年VLSI Symposium于6月11日至16日在日本京...
近日，中国科大微电子学院左成杰教授课题组两篇论文入选2023年国际微波会议（IMS，全称为：IEEE International Microwave Symposium）。IEEE IMS是国际微波领域的全球著名学术会议，IMS 2023于6月11日至16日在美国San Diego举办，今年在微波声学方向总共只收录了六篇Oral论文，其中包括中国科大的两篇。 随着无线通信从5G向Beyond 5G (B5G)和6G发展，有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 7，而更多的国家在考虑将...
近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。IEEE ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域在国际上重要的知名学术会议，ISPSD 2023于今年5月28日至6月1日在中国香港举办。会上，龙世兵教授受邀作了题为“Gallium Oxide Vertical Power Devices: Technology, Design and Applications”的大会Short cou...
神经形态计算旨在利用硬件和软件算法来模拟生物神经系统的结构和功能单元，从而构建出类似于大脑的具有自主学习能力和认知功能的高能效智能计算系统。为了在硬件上实现神经形态计算，需要寻找低能耗的新型电子器件来模拟神经突触的功能。随着二维材料制备工艺的快速发展，基于二维材料的突触器件研究越来越受到关注。 近日，我院左成杰教授与孙海定研究员组成的联合研究团队在低能耗浮栅型突触器件方面取得进展。该团...
ISSCC全称为International Solid State Circuits Conference，国际固态电路会议，是由IEEE 固态电路协会（SSCS）主办的半导体芯片设计国际学术会议。ISSCC是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，长期以来代表着全球固态电路领域研发趋势的领先风向，有“集成电路领域的奥林匹克”之称，每年吸引了超过3000名来自世界各地学术、产业界人士参加。在2023年2月19-24日美国旧金山召开的ISSCC上，我院林福...
近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...
近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...
近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美国旧金山召开。IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓...
近日，国务院学位委员会正式公布了2021年学位授权自主审核单位增列学位授权点名单，我院的集成电路科学与工程博士学位授权一级学科位列其中。该博士授权点的获批，对加强学科建设与人才培养、促进集成电路科技和产业发展、解决国家“卡脖子”核心科学技术难题具有重要意义。图1：2022年7月12日国务院学位委员会下达2021年学位授权自主审核单位学位授权点名单 自2015年中国科学技术大学国家示范性微电子学院正式成立以来，学院...
