近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议。
随着无线通信从5G向Beyond 5G（B5G）和6G发展，对于6 GHz以上电磁波频谱的使用国际上还存在争论，有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 6E，而更多的国家在考虑把此频段部分用于蜂窝无线通信（6G）。因此，源于对不同制式和频段间信号的隔离需求，工作于6 GHz的高品质因数（Q值）声波谐振器以及高性能滤波器将会成为下一阶段无线通信发展的关键技术，也是我国6G技术发展必须要自主可控的基础射频元器件与芯片。
近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的两款电源管理芯片（高效率低EMI隔离电源芯片和快速大转换比DC-DC转换器芯片）亮相集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference （ISSCC）。ISSCC是国际上最尖端芯片技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC2022于今年2月20日至28日在线上举行。
2021年11月23日，厦门大学的张峰教授，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“宽禁带半导体SiC功率器件研究进展及应用”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院徐光伟老师主持。讲座正式开始于上午10点，首先徐光伟老师对张峰教授做了简短的介绍：张峰，厦门大学物理科学与技术学院特聘教授、博士生导师、国家青年“973”计划首席科学家。2008年在厦门大学物理系获...
2021年12月7日，中科院微电子所高级工程师刘璟，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“半导体非易失存储器（侧重Flash）技术进展及发展趋势”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院赵晓龙老师主持。 讲座正式开始于上午10点，首先赵晓龙老师对刘璟高级工程师做了简短的介绍：刘璟，博士，中国科学院微电子研究所高级工程师，合肥中科微电子创新中心有限公...
为了应对大数据时代海量数据存取的需求，基于新材料、新原理、新结构的新型存储技术必须具备低功耗和高密度集成的特点。阻变存储器具有低功耗、高速存取、易于三维集成及存算融合等特点，有望成为下一代主流的存储技术。阻变存储器的高低阻态转变行为源于导电细丝在外部电场下的可重复形成与破裂。伴随导电细丝的形成/断裂过程，细丝环境的物化性质也在发生动态变化，并对导电细丝产生影响。深入剖析导电细丝系统的动...
2021年11月9日，浙江大学的杨树教授，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“氮化镓功率器件及功率集成”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院徐光伟老师主持。 上午10点10分，讲座正式开始。徐光伟老师首先对杨树教授做了简短的介绍：杨树，国家青年人才计划入选者，浙江大学研究员，博士生导师，电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位，于香港科技大学获博...
2021年10月26日，中科院特聘研究员宋志棠，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“相变存储器”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院康一老师主持。讲座正式开始于上午10点，首先康一老师对宋志棠研究员做了简短的介绍：宋志棠研究员中科院特聘研究员，国家重点实验室主任、上海市技术发明一等奖（排名第一）、上海市自然科学一等奖（排...
2021年10月19日，复旦大学的曾晓洋教授，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“领域专用处理器系统及其关键技术研究”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院院长龙世兵老师主持。讲座正式开始于上午10点，首先龙世兵老师对曾晓洋教授做了简短的介绍：曾晓洋教授是复旦大学特聘教授，微电子学院副院长，专用集成电路与系统国家重点实验室执行主任；兼任上海复瞰科技有限公司董事长，中国电...
2021年10月12日，南京大学的万青教授，受邀在中科大高新区GT-B111教师为学校师生作了题为“神经形态器件及其类脑芯片应用”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院赵晓龙老师主持。上午10点，讲座正式开始。赵晓龙老师首先对万青教授做了简短的介绍：万青教授是南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。他的主要研究领域为氧化物半导体及其柔性电子学、神经形态系统等新概念器件与系统应用，累计在N...
由于臭氧层的吸收，波长介于200-280 nm之间的紫外光在地表可以忽略不计，遂称之为日盲紫外波段。工作在此波段的日盲探测器具有较低的背景噪声，使得其在保密通信、国土防御、臭氧及污染物监测等方面具备极大的应用潜力。目前，已有大量的宽禁带半导体材料用于日盲紫外探测器的研究，如GaN、SiC、Ga2O3等。其中，Ga2O3的禁带宽度为4.7~5.3 eV，吸收截止边小于280 nm，为日盲紫外探测器的优选材料。然而，大部分已报导的日盲紫外探测...
