学习经历:

1988年至1995年就读于西安交通大学，获学士、硕士学位，1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位。

工作经历:

1999年至2002年在日本千叶大学光电子研究中心博士后、讲师，2002年至2004年在日本科学技术振兴事业团，参加超高速省电力高性能纳米器件/系统研发项目，项目特聘研究员，2004年至2006年任职于北京大学物理学院，2006年8月起为中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师，现任纳米测试分析平台主任、学术委员会副主任，所长助理。

社会兼职:

于2007年9月由中共苏州工业园区工作委员会及苏州工业园区管理委员会评为苏州工业园区首届科技领军人才；于2007年9月由苏州市科技局评选为苏州市姑苏创新创业领军人才；于2007年12月由江苏省人才工作领导小组评选为苏省高层次创业创新人才；于2009年9月，经过激烈的竞争与选拔，由中国科学院联想学院管理委员会评为“联想之星”创业CEO特训班第一期优秀学员。

目前还担任江苏省青年常委，江苏省信息化委员会副理事长，江苏省纳米产业联盟副理事长，江苏省纳米加工、测试与工程化技术平台第一届技术委员会委员。

• 2010年荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖－成果转化奖”    
• 2009年荣获江苏省新长征突击手称号    
• 2008年“联想之星”创业CEO特训班“优秀学员”称号    
• 2008年江苏省“333高层次人才培养工程”，青年学术带头人    
• 2008年“江苏省高层次创业创新人才引进计划”双创人才奖    
• 2007年苏州市首届姑苏创新创业科技领军人才奖    
• 2007年苏州工业园区首届科技领军人才奖    

• 1. A. Yoshikawa and K. Xu, Group III-nitride heterostructures based devices and the fabrication processing, application number: 2002-280082申请范围：日本，美国，欧洲，韩国，中国大陆和台湾
• 2. 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法，康香宁、胡晓东、王琦、章蓓、杨志坚、徐科、陈志忠、于彤军、秦志新、张国义，国内，发明专利，申请号：200510011195.0
• 3. 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法, 康香宁、章 蓓、陈 勇、包 魁、徐 科、张国义、陈志忠、胡晓东，国内，发明专利，申请号：200510073285.2
• 4. 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法，李 睿、胡晓东、徐 科、代 涛、陈伟华、胡成余、包 魁、王彦杰、张国义，国内，发明专利，申请号：200710121505.3
• 5. 用于外延生长的原位应力光学控制装置，王建峰、徐科、朱建军、杨辉，国内，发明专利，申请号：200720039487.X
• 6. 一种制备三族氮化物衬底的方法，徐科、杨辉、王建峰、张宝顺，国内，发明专利，申请号：200710023555.8
• 7. 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统，王建峰、徐科、朱建军、杨辉，国内，发明专利，申请号：200710023556.2
• 8. 高温金属有机化学气相淀积反应器，王怀兵、杨辉、徐科、张宝顺、梁俊吾，国内，发明专利，申请号：200810025396.X
• 9. 分离外延层与衬底的方法，王建峰、徐科、张永红，国内，发明专利，申请号：200810200190.6
• 10. 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，朱建军、徐科、王建峰，国内，发明专利，申请号：200810200193.X
• 11. 半导体异质衬底及其生长方法，徐科、李清文、王建峰，国内，发明专利，申请号：200810200191.0
• 12. 发光二极管用钇铝石榴石粉体的制备方法，曾雄辉、徐科、张锦平、张露、黄凯，国内，发明专利，申请号：200810243124.7
• 13. 一种制备有机半导体红荧烯微-纳米线的方法，曾雄辉、徐科、张锦平、张露、黄凯，国内，发明专利，申请号：200810243123.2
• 14. 一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法，曾雄辉、王建峰、徐科、任国强、张永红、杨辉，国内，发明专利，申请号：200910247541.3
• 15. 一种掺杂稀土元素的荧光粉及其制备方法，曾雄辉、徐科、王建峰、任国强，国内，发明专利，申请号：200910247542.8
• 16. 一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法，刘争晖、钟海舰、徐科、王明月，国内，发明专利，申请号：200910025456.2
• 17. 一种半导体衬底的生长方法，任国强、徐科、王建峰、张育民，国内，发明专利，申请号：200910055732.X
• 18. 发光二级管及其生长方法，王建峰、徐科、任国强、张育民，国内，发明专利，申请号：200910055731.5
• 19. 一种真空原子力显微镜及其使用方法，秦华、刘争晖、钟海舰、樊英民、徐科，国内，发明专利，申请号：200910030522.5
• 20. 一种利用氨热法生长氮化物的反应装置，任国强、王建峰、徐科、张永红、杨辉, 国内，发明专利，申请号：200910247539.6
• 21. 气相外延工艺中的掺杂方法及其装置,张育民、王建峰、任国强、徐科，国内，发明专利，申请号：200910196421.5
• 22. 具有自剥离功能的衬底以及剥离外延层的方法,王建峰、任国强、刘建奇、徐科，国内，发明专利，申请号：200910196420.0
• 23. 半导体材料的生长方法以及半导体衬底，刘建奇、任国强、王建峰、徐科、杨辉，国内，发明专利，申请号：200910247543.2
• 24. 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，曾雄辉，徐科，王建峰，任国强，包峰，黄凯，张锦平，国内，发明专利，申请号：201010017134.6
• 25. 一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法，曾雄辉、张鹏强、徐科、包峰、黄凯、张锦平，国内，发明专利，申请号：201010122792.1
• 26. 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法, 曾雄辉、徐科、王建峰、任国强、黄凯、包峰、张锦平,国内，发明专利，申请号：201010017135.0
发表论文
• Title: Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxyAuthor(s): Xu K; Yoshikawa ASource: APPLIED PHYSICS LETTERS Volume: 83 Issue: 2 Pages: 251-253 Published: 2003Times Cited: 125
• Title: Structure, stress state and piezoelectric property of GaN nanopyramid arraysAuthor(s): Liu JQ; Wang JF; Gong XJ; Huang J; Xu K(通信作者); Zhou TF; Zhong HJ; Qiu YX; Cai DM; Ren GQ; Yang HSource: APEX (accepted)
• Title: Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN LayersAuthor(s): Liu JQ; Qiu Y X; Wang J F; Xu K(通信作者); Yang HSource: CHIN. PHYS. LETT. Volume:28, No. 1 Page: 016101 Published: 2011
• Title: Growth behavior of GaN film along non-polar [1 1 –2 0] directionsAuthor(s): Gong XJ; Xu K(通信作者); Wang JF; Yang H; Bian LF; Zhang JP; Xu ZJSource: Physica B Volume: 406 Pages: 36–39 Published: 2011
• Title: Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVDAuthor(s): Jia, TT; Zhou, SM; Teng, H; Lin H; Wang J; Liu JQ; Qiu YX; Huang J; Huang K; Bao F; Xu KSource: APPLIED SURFACE SCIENCE Volume: 257 Issue: 4 Page: 1181-1184 Published: 2010
• Title: Influence of the electronic states anisotropy on the band gap pressure coefficient of InxGa1-xN alloysAuthor(s): Shi L; Xu K (通信作者); Xiong KL; Yang H; Ni JSource: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Volume: 106 Issue:11 Article Number: 113511 Published: 2009