近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导...

   近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament, CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity, Linearity, and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2–xOx Based Analog RRAM via S-Vacancy Confined Nanofilament”为题发表在知名学术...

 近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)上做口头报告。IEDM是电子器件领域的国际知名会议，本届会议于2024年12月...