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吕杭炳  研究员
主要研究方向:新型半导体存储器、氧化物TFT、纳米加工、新型不挥发存储器集成及应用、神经元计算网络
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邮箱:lvhangbing@ime.ac.cn
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个人简介

中科院微电子研究所研究员,研究方向包括新型半导体存储器、氧化物TFT、纳米加工、新型不挥发存储器集成及应用、神经元计算网络。

任IEEE会员,IEEE ETDM TPC member,Nature Asia Materials、Scientific Reports、Advanced Materials、IEEE Electronic Device Letters、Applied Physics Letters等期刊审稿人,IEDM、VLSI Symp.等国际会议审稿人,国家自然科学基金项目评审人。

个人经历
  • 2016-至今 中国科学院微电子研究所,研究员
  • 2012-2016 中国科学院微电子研究所,副研究员
  • 2010-2012 中国科学院微电子研究所,助理研究员
  • 2004-2009 复旦大学,博士