1998年发明两端固态自发混沌振荡器用作保密通讯。

1999年至2001年发明了纳米尺度的沟槽肖脱基MOS场效应晶体管。

2001年至2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构，能使闪烁存储器单元的读写电压减小到10伏， 读写时间减小到10微秒以下，并且能使闪烁存储器能采用50纳米以下的CMOS技术制造，让1000G的闪烁存储器可以大规模制造。

2002年提出和设计了高介电常数闪烁存储器单元器件结构。

2004年理论和实验证明了纳米尺度的MOS场效应晶体管在积累区能自动具有单电子晶体管特性。

2005年研制出我国第一支无线通讯基站用的高频大功率RF LDMOS器件，该产品拥有自主知识产权。

• 1989 毕业于南京大学物理系
• 1995 中科院半导体研究所，博士
• 1995-1996 德国Paul-Drude固体电子研究所，博士后
• 1996-1998 新加坡国立微电子研究所，研究员
• 1998-2001 新加坡国立微电子研究所，高级研究工程师
• 1999-2001 摩托罗拉公司数字基因实验室(中国)部门，经理和首席工程师
• 2001-2003 加州大学洛杉矶分校，访问学者
• 2003-至今 北京大学微电子研究所，兼职教授
• 2006-至今 苏州纳米所，研究员，博士生导师（中科院百人计划）