Amgad Al-Saman博士现为中国科学技术大学微电子学院特任副研究员、主要研究兴趣包括基于物理机理的半导体器件建模、从事GaN器件紧凑模型开发与器件表征研究，具备丰富的产业研发经验。微波与光子学计算方法、压电换能器设计、Schrödinger–Poisson方程求解、TCAD协同仿真、超快速开关行为，以及宽禁带半导体器件中的热输运与可靠性研究。

研究成果发表于IEEE Transactions on Electron Devices（IEEE TED）、IEEE Journal of the Electron Devices Society（JEDS）、Journal of Applied Physics、Solid-State Electronics等国际高水平期刊，并受邀在IEEE TENCON 2024等国际学术会议作报告。同时担任Applied Physics Letters（APL）、IEEE Electron Device Letters（IEEE EDL）等国际期刊审稿人，并担任ICEPT 2025射频电子封装方向程序委员会委员。

• 2008-2012: 南联邦大学（俄罗斯），本科，电子学与微电子学

• 2012-2017: 南联邦大学，硕士，电子学与纳米电子学

• 2014-2018: 南联邦大学，博士，量子与固态电子学

• 2018-2023: 中国科学技术大学，博士，电子科学与技术

• 2023-2025: 苏州实验室，博士后，

• 2025-至今: 中国科学技术大学，特任副研究员，

• Al-saman A. Amgad; Yi Pei; Eugeny A. Ryndin; Fujiang Lin; Accurate Temperature Estimation for Each Gate of GaN HEMT With n-Gate Fingers, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(9): 3577-3584 (期刊论文) ( 本人标注: 唯一第一作者 ) 本人贡献： concept, mathematical model, numerical simulation, data analysis, drafting, experimental validation。

• Al-Saman, Amgad A.; Yang, Xiaoqin; Pei, Yi; Gu, Hong; Xu, Ke; An analytical physics-based model for low-field mobility in nitride high-electron-mobility transistor considering the momentum relaxation and two-dimensional electronic gas effective mass, Journal of Applied Physics, 2025, 138(14) (期刊论文) ( 本人标注: 唯一第一作者 ) 本人贡献： Idea, simulation, programming, mathematical model, analysis。

• Al-Saman, Amgad A.; Ryndin, Eugeny A.; Pei, Yi; Lin, Fujiang; An estimation of 2DEG density for GaN HEMT using analytical equation considering the charge conservation low, Solidstate Electronics, 2022, 188(1): 1-8 (期刊论文) (人标注: 唯一第一作者 ) 本人贡献： model development, idea, analysis, numerical simulation, physical model。

• Al-Saman, Amgad A.; Ryndin, Eugeny A.; Zhang, Xinchuan; Pei, Yi; Lin, Fujiang; Analytical model of non-uniform charge distribution within the gated region of GaN HEMTs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2023, 44(8) (期刊论文) ( 本人标注: 唯一第一作者 ) 本人贡献： model development, idea, analysis, numerical simulation, physical model。

• Amgad A. Al-Saman; Hassan A. Al-Samman; Yi Pei; Fujiang Lin; Physics-Based GaN HEMT Device Modeling for MIMC, ENCON 2024-2024 IEEE Region 10 Conference (TENCON), Singapore, Singapore, 2024-10-01至2024-10-04 (会议论文) ( 本人标注: 唯一第一作者 ) 本人贡献：perfromed all mathmatical simulation with measrurements。

• Al-Saman Amgad; Al-Samman Hassan; Yi Pei; Lin Fujiang; Physics-based GaN HEMT Device Modeling for MMIC, IEEE Region 10 Conference 2024 (TENCON 2024), Orchid Main Ballroom, Level 4, Sands Expo and Convention Centre, Marina Bay Sands, 10 Bayfront Avenue, Singapore 018956., 2024-12-01至2024-12-04 (会议报告)。

• Rozdobudko V. V.; Lebedev V. K.; Al-Saman A.A.; Acousto-optic deflector with piezo transducer array, 2013-02-27, 其他国家, RU125357U1 (专利)。

• Al-saman A. A.; E.A. Ryndin; Program for modeling static I–V characteristics of HEMT structures, 2017662676, 原始取得, 全部权利, 2017-11-14 (软件著作权)。

• Al-saman A. A.; E.A. Ryndin; Program for hydrodynamic modeling of HEMT structures, 018663024, 原始取得, 全部权利, 2018-10-18 (软件著作权)。