2019年12月26日-27日，由国家自然科学基金委员会（基金委）信息科学部主办、中国科学技术大学国家示范性微电子学院以及西安电子科技大学芜湖研究院承办的第五届全国微电子青年科技论坛在中国科大举行。中国科大微电子学院执行院长龙世兵教授主持开幕式，基金委信息科学部主任郝跃院士、中国科大校长助理吴枫教授、中国科大微电子学院院长刘明院士出席开幕式并致辞。基金委信息学部潘庆处长、孙玲主任以及来自全国各高校、研究机构及企业的100余名专家学者参加了论坛的开幕式及报告会。
自然科学基金委员会信息科学部主任郝跃院士致辞
中国科大校长助理吴枫教授致辞
中国科大微电子学院院长刘明院士致辞
论坛合影
全国微电子青年科技论坛是一项由郝跃院士和郑有炓院士发起，旨在推动我国微电子科学与技术学科发展，培养学术带头人，促进青年科学家跨学科交流。本次论坛以“微电子科技与智能时代”为主议题，继续重点关注微电子学科的前沿发展，主要聚焦于宽禁带半导体、新型存储器、新材料与新器件、集成电路设计、存算一体器件与芯片、光电器件、MEMS/传感器等研究方向，邀请了相关领域的知名专家、学者作专题报告，深入交流各领域的最新研究成果，促进青年科学家之间的协同创新。
以“宽禁带半导体的未来发展”为主题的对话讨论
26日论坛第一分会围绕宽禁带半导体展开汇报与讨论。由北京大学的沈波教授主持，中科院苏州纳米所徐科研究员、西安电子科技大学周弘教授、南京大学刘斌教授、清华大学汪莱教授以及北京大学杨学林教授先后作了报告，报告内容主要涉及氮化镓材料的特性研究以及量子点Micro-LED的相关研究。其中，汪莱教授指出，GaN基LED近年来已成为改变人类照明方式的潜在光源。Micro-LED被认为是继液晶和OLED之后的下一代先进显示技术。此外，基于LED的可见光通信（VLC）也被认为是无线通信中一项非常重要的技术，被纳入6G标准提案中。第一分会报告结束后，由龙世兵教授主持，由郝跃院士、沈波教授、徐科研究员、刘斌教授、汪莱教授作为特邀嘉宾，进行了以“宽禁带半导体的未来发展”为主题的对话讨论。
中科院苏州纳米所徐科研究员做报告
第二分会关注新型存储器的发展，由安徽大学陈军宁教授主持。长鑫存储公司副总裁平尔萱博士针对DRAM的演绎历史，展望了今后10年DRAM将面临的困难点，并从DRAM基本器件结构改善的角度，提出以新材料应用为突破口来满足市场对高性能DRAM的要求。
长鑫存储副总裁平尔萱博士讲解DRAM对材料和元器件的未来需求
第三分会主题为“新材料与新器件”，由南京大学王欣然教授主持。南京大学王枫秋教授作了题为“低维材料载流子寿命调控及高速器件研究”的报告，报告指出：低维材料的光电物性表征和器件研究是发展新一代光子技术的重要基础，也是当前国际学术界和工业界的研究热点。石墨烯、过渡金属硫化物和黑磷的光学激发态展现出了很多独特的性质，有望作为基础单元制备一系列宽带高速光子器件。对这类低维材料体系光学激发态弛豫过程的深入理解和操控，将有望获得高性能和新概念光子器件。
27日，论坛第四分会聚焦集成电路设计领域，由杭州电子科技大学孙玲玲教授主持，从事该方向研究的几位教授分别作报告。无线充电作为一种更加安全方便的充电方式，在消费电子、生物医疗电子、物联网以及电动汽车等方面具有广阔的应用前景，近年来得到了学术界和工业界的高度关注，来自我校程林教授的报告着重从电路设计层面探索无线充电新技术与新结构，以达到提高接收端芯片效率同时又降低成本的效果。东南大学的赵涤燹教授详细介绍了毫米波CMOS相控阵芯片核心技术和最新研究成果，相控阵系统可以有效作为空间滤波器，接收和发射特定方向的信号，其方向选择性和天线阵增益的优势可以大大提高雷达和通信系统的性能，其空分复用的特点可以大大提高通信网络的容量和频谱效率。CMOS工艺具有高集成度、高成品率和低成本的优势，随着工艺的进步，基于先进CMOS工艺的电路目前可以工作在100GHz频段，使得实现低成本、全集成、多通道的毫米波相控阵芯片成为可能。论坛第五分会研讨存算一体器件与芯片，由合肥工业大学梁华国教授主持，来自中科院计算所的陈云霁研究员介绍了深度学习芯片以及自己所教授的智能计算系统课程，该课程已在或将在国科大、中科大、北大、北航、南开、天大、西工大等十个高校联合开设，并将公开分享相关教学资料，协助有兴趣的兄弟院校开设类似的课程。
中科院计算所陈云霁研究员介绍深度学习处理器
论坛第六、第七分会的主题分别是“光电器件”和“MEMS/传感器”，分别由中国科学院金属研究所孙东明研究员和中国科学技术大学康一教授主持。来自南京大学的叶建东教授介绍了南京大学团队在氧化镓高质量外延生长、基本光电特性研究和日盲紫外探测应用方面的最新进展。基于微机电系统（MEMS）的气体传感器具有性能高、成本低、体积小和易集成的特点，在消费电子、汽车电子和医疗健康等领域具有广阔的应用前景，但依然面临着功耗、性能和批量制造的诸多挑战。来自我校的许磊教授详细报告了他们针对高性能MEMS气体传感器提出的新思路和新结构。
中国科大微电子学院许磊授做报告
气氛活跃的会场讨论
本次论坛邀请到了微电子相关领域众多专家、学者共同探讨和交流微电子科技最新研究进展和发展趋势，多学科的深度交叉融合，将成为推动我国信息技术发展的重要力量。同时，活动加深了专家和学者之间的合作交流，促进了国内各高校和研究所之间的了解和互动。本次论坛的成功举办对提升我国微电子科学技术的研究水平和进一步提升我国微电子行业的国际地位都具有重要意义。
论坛日程安排
12月26日
开幕式 主持人：龙世兵教授，中国科学技术大学微电子学院
08:30-08:40，国家自然科学基金委员会信息科学部领导致辞，郝跃院士/主任
08:40-08:50，中国科学技术大学校领导致辞，吴枫教授/校长助理
08:50-09:00，中国科学技术大学微电子学院领导致辞，刘明院士/院长
分会1：宽禁带半导体 主持人：沈波教授，北京大学
09:20-09:40，徐科研究员，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，氮化镓材料中位错的力学、电学和光学特性研究
09:40-10:00，周弘教授，西安电子科技大学，GaN微波与功率二极管及应用研究
10:10-10:30，刘斌教授，南京大学，量子点集成结构的高速率Micro-LED阵列器件制备与性质研究
10:30-10:50，汪莱教授，清华大学，InGaN量子点Micro-LED
10:50-11:10，杨学林教授，北京大学，硅基氮化镓电子材料与器件研究
11:10-12:00，主题对话 主持人：龙世兵教授，中国科学技术大学
主题：宽禁带半导体的未来发展
对话报告人：郝跃院士、沈波教授、徐科研究员、刘斌教授、汪莱教授
分会2：新型存储器 主持人：陈军宁教授，安徽大学
14:00-14:20，平尔萱副总，长鑫存储技术有限公司，DRAM对材料及器件的将来需求
14:20-14:40，宋志棠研究员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，相变存储器与存算融合
14:40-15:00，徐明教授，华中科技大学，高稳定相变存储器
15:00-15:20，赵巍胜教授，北京航天航空大学，新型自旋存储器技术
分会3：新材料与新器件 主持人：王欣然教授，南京大学
15:40-16:00，狄增峰研究员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，锗/石墨烯异质界面新奇物理现象
16:00-16:20，王建禄研究员，中国科学院上海技术物理研究所，局域极化场操控的新型光电器件
16:20-16:40，魏钟鸣研究员，中科院半导体研究所，新型低维半导体材料与光电器件探索
16:40-17:00，杨玉超教授，北京大学，神经形态器件与类脑智能系统
17:00-17:20，王枫秋教授，南京大学，低维材料载流子寿命调控及高速器件研究
12月27日
分会4：集成电路设计 主持人：孙玲玲教授，杭州电子科技大学
08:30-08:50，朱樟明教授，西安电子科技大学，纳米级模数转换器集成电路设计挑战
08:50-09:10，李强教授，电子科技大学，超低压与时域ADC设计
09:10-09:30，赵涤燹教授，东南大学，毫米波CMOS相控阵芯片设计
09:30-09:50，程林教授，中国科学技术大学，高效率无线充电芯片设计
09:50-10:10，韩银和研究员，中国科学院计算技术研究所，专用处理器芯片设计和专用智能计算机
分会5：存算一体器件与芯片 主持人：梁华国教授，合肥工业大学
10:30-10:50，蔡一茂教授，北京大学，神经形态器件及其类脑计算研究
10:50-11:10，吴华强教授，清华大学，基于忆阻器的存算一体芯片研究进展
11:10-11:30，吕杭炳研究员，中国科学院微电子研究所，基于新型存储器的内外存融合技术
11:30-11:50，韩军教授，复旦大学，后5G时代多接入边缘计算（MEC）平台的新型智能芯片架构研究
11:50-12:10，陈云霁研究员，中国科学院计算技术研究所，深度学习处理器
分会6：光电器件 主持人：孙东明研究员，中国科学院金属研究所
14:00-14:20，叶建东教授，南京大学，氧化镓半导体材料外延与日盲探测器件应用
14:20-14:40，王照奎教授，苏州大学，有机/无机半导体发光与光伏器件
14:40-15:00，徐扬教授，浙江大学，硅基石墨烯光电探测器中的‘一带一路’
15:00-15:20，韩根全教授，西安电子科技大学，新型氧化锆铁电材料和晶体管
分会7：传感器 主持人：康一教授，中国科学技术大学
15:40-16:00，陈健研究员，中国科学院电子学研究所，单细胞检测与微传感器
16:00-16:20，杨清华教授，北京邮电大学，高性能5G MEMS滤波器的研发进展及挑战
16:20-16:40，刘欢教授，华中科技大学，气体传感器硅基集成技术研究
16:40-17:00，许磊研究员，中国科学技术大学，高性能MEMS气体传感器研究