为助力学生明晰职业方向、把握行业动态，4月20日，微电子学院在信智楼C301举办“芯”火相传求职经验分享会。活动邀请5位嘉宾分别从升学、就业、选调等领域分享实战经验，活动吸引线上线下近100名学生参与，现场气氛热烈。栗行健同学的分享聚焦海外留学规划。他向同学们系统解析了欧美、加拿大、澳大利亚及香港地区的申请流程与政策差异，强调“科研匹配度”和“导师沟通”对博士申请的关键作用，并建议有出国留学想法的同学们提前1...

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4月16日，微电子学院第一届团员代表大会、第四届学生代表大会、第四届研究生代表大会在高新校区信智楼A407会议室隆重召开。微电子学院党总支书记朱云浩出席大会。来自全院13个团支部推选的大会正式代表、列席代表、校研究生会代表和兄弟学院学生代表齐聚一堂，共同谋划微电子学院团学工作发展新篇章。在第四届研代会上，林鹏辉代表微电子学院第三届研究生会作了题为《携手奋进新时代，勇担使命创辉煌》的工作报告。全体研究生代表...

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为扎实开展深入贯彻中央八项规定精神学习教育，进一步强化党建引领作用，深入推动党建工作与学生管理有机融合，4月9日下午，微电子学院教师党支部与高新园区建设与管理委员会办公室（以下简称“高新园区管办”）党支部在高新校区行政服务中心A322会议室举办联学共建活动。高新园区管办党支部书记朱洪超、高新园区管办党支部副书记何昊华、微电子学院党总支书记朱云浩、微电子学院教师党支部书记陈松及双方党员代表参加座谈。会议由...

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       2025年3月29日，我院李鹏教授主持的国家重点研发计划新型显示与战略性电子材料重点专项“高性能空间智能计算关键拓扑材料及自旋轨道矩电子器件研究”项目启动会暨实施方案论证会顺利举行。中国科大党委常委、副校长吴枫出席会议并致辞。中国科大科研部重大任务处处长刘静等项目依托单位成员，中国电科集团电子科学研究院书记武祥、华中科技大学集成电路学院副院长刘欢等项目专家组成员，中科院合肥物质...

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3月30日下午，微电子学院2024级本科班团支部组织青年团员，前往渡江战役纪念馆开展“赓续红色血脉，传承奋斗精神”主题团日活动，通过实地参观、历史讲解与心得交流等环节，支部的青年学子深刻感悟了革命先辈们英勇抗争、顽强不屈的奋斗精神。寻访红色印记 追忆峥嵘岁月下午2时30分，同学们统一乘车出发。春日的细雨中，纪念馆更显庄严肃穆，渡江战役总前委群雕巍然矗立在纪念馆的门前。老一辈革命家的塑像目光如炬，仿佛凝望着波...

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为加强微电子学院学生会组织建设，进一步发挥桥梁纽带作用，3月29日，微电子学院学生会组织同学们来到渡江战役纪念馆和安徽创新馆开展了一场富有意义的参观学习之旅。在江淮这片热土之上，同学们亲身领略了底蕴深厚的红色文化，深入探寻了蓬勃发展的科技历程，从中源源不断地汲取着科教报国的磅礴精神力量，为自身成长注入强劲动力，也为学院发展凝聚奋进之力。铭记光辉历史，传承革命精神下午2时许，同学们抵达了渡江战役纪念馆。...

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  近日，我院龙世兵和胡芹团队在日盲紫外光电探测研究中取得新进展。针对氧化镓光电探测器中存在的响应度和响应速度相互制约的问题，该课题组从理论和仿真分析入手，创新性地提出了一种基于氧化镓双层薄膜结构的高性能光电探测器设计策略。该结构可以通过调控器件内部电场分布和光生载流子提取路径来缓解响应度和响应速度间的互相制约。基于此设计，该工作成功构建了同时具备高响应度和快响应速度的氧化镓日盲紫外光电探测器...

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为深入推进学校“红专工程”，进一步发挥党组织凝聚服务师生作用，微电子学院宽禁带半导体研究生党支部于2025年3月29日至30日成功举办了学院“‘芯’光闪耀足球场，师生携手展风采”师生足球比赛。赛事吸引了来自学院不同年级、不同课题组师生热情参与，共组建了6支联合队伍。此次活动打破了传统的年级与科研组界限，涵盖了本科、硕士、博士各个培养阶段的学生以及部分教师，真正搭建起了一个全方位、多层次的竞技交流平台。本次比...

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3月22日，在第十个全民国家安全日来临之际，微电子学院2024级代培班在蜀西湖公园成功举办了一场别开生面的安全主题春游活动。本次活动以“安全同行，共赏春景”为主题，巧妙地将安全教育与春日踏青融合，吸引了班级同学积极参与，取得了寓教于乐的良好效果。为增强活动的教育意义，班委精心策划，围绕用电安全、食品安全、交通安全等十个与生活学习紧密相关的主题，设计并制作了一系列图文并茂的安全教育海报，将其布置在蜀西湖公...

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  近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Vertical GaN PiN Diode Under Proton Irradiation: Impact on Conductivity Modulation”为题发表于电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters。  因开关频率高、位移阈能高等优势，GaN功率电子器件可在宇宙空...

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