2021年11月9日，浙江大学的杨树教授，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“氮化镓功率器件及功率集成”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院徐光伟老师主持。
上午10点10分，讲座正式开始。徐光伟老师首先对杨树教授做了简短的介绍：杨树，国家青年人才计划入选者，浙江大学研究员，博士生导师，电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位，于香港科技大学获博士学位；曾在香港科技大学担任客座助理教授、于剑桥大学从事博士后研究。长期专注于宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；实现了无动态电阻退化的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰传统平面型GaN器件的动态性能退化难题；提出了针对GaN器件的新型界面氮化方法，实现了GaN器件栅极可靠性的提升。在IEEE EDL、IEEE T-ED和功率器件领域国际顶级会议IEEE ISPSD等发表SCI/EI论文80篇。2018年获IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award，是该奖项创立30年来首位中国大陆获奖者；2020年获得中国电源学会优秀青年奖、中达青年学者奖。担任中国电源学会女科学家工作委员会副主任和元器件专委会委员，IEEE OJ-PEL编委，IEEE JESTPE客座编委，IEEE ISPSD技术委员会委员。
徐光伟老师介绍完毕之后，与会师生对杨树教授的个人履历及研究方向有了基本的认识，在大家的热烈掌声中，杨树教授开始了她的报告。报告主要介绍了GaN功率器件的研究背景和现状。功率半导体器件是电能在发、输、变、配、用各环节的核心元件，当前大多数的电能变换主要采用硅基功率器件，然而经历了四十余年的发展后，硅基功率器件的性能正在趋近其材料特性决定的本征极限。宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件能够在电力电子应用中提供高频率、小尺寸、低功耗、高能效等理想性能，在航空航天、大数据中心、新能源汽车充电、激光雷达等领域具有广阔的应用前景。在本次讲座中，分为以下4个方面展开了介绍：1）GaN材料、器件与应用现状，2）常关型GaN器件及其可靠性，3）GaN器件动态特性退化机理，4）GaN功率集成技术。此外，基于前期工作的基础，杨树教授还向大家分享了新型GaN器件技术展望以及未来发展方向的一些思考。
报告结束后，在座的老师和同学们积极与杨树教授交流讨论，现场氛围非常活跃。老师和同学们主要对如何提高GaN功率器件性能、解决栅极驱动以及动态电阻退化效应展开讨论，杨树教授乐此不疲地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法，此次讨论详细且充分，对师生们的研究和学术具有积极的推动作用。最后，杨树教授和部分师生合影留念，为本次高水平学术报告画上了圆满的句号。
结语：研究生高水平学术前沿讲座会不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。