2021年11月23日，厦门大学的张峰教授，受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“宽禁带半导体SiC功率器件研究进展及应用”的学术报告。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，由微电子学院徐光伟老师主持。讲座正式开始于上午10点，首先徐光伟老师对张峰教授做了简短的介绍：张峰，厦门大学物理科学与技术学院特聘教授、博士生导师、国家青年“973”计划首席科学家。2008年在厦门大学物理系获得博士学位，从事宽禁带半导体SiC材料与器件研究工作并取得系统性研究成果：率先研制10kV p沟道SiC IGBT器件，成功研制工业化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。国际上率先将1200V SiC肖特基二极管其应用到电动汽车充电桩中。同时，围绕宽禁带半导体光电探测器及单光子探测器的基本科学问题，研究提高探测器量子效率的物理机理与规律。先后获中国科学院青年创新促进会优秀会员、第三代半导体卓越创新青年、福建省杰出青年科学基金等奖励和荣誉。现任中国材料研究学会青年工作委员会理事、中国电子学会高级会员、中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员；以及学术期刊Journal of Semiconductors编委，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics客座编委等职务。

    徐光伟老师介绍完毕后，参会师生对张峰教授的个人履历及研究方向有了基本的认识，在大家的热烈掌声中，张峰教授开始了报告。报告介绍了以碳化硅为代表的宽禁带半导体功率器件是目前电力电子领域发展最快的半导体器件之一。SiC材料与电力电子器件的应用被公认将成为电力电子领域的一次革命，受到世界各国政府和产业界的高度重视，已经成为增长潜力巨大的战略性产业。现阶段，SiC材料与器件面临着重大的发展，其最重要的科学特征是“从小功率到大功率”的转化，在转化过程中，一些科学和技术问题逐渐成为制约SiC材料和器件性能的重要因素。研究并系统解决这些科学和技术问题，有助于全面提升我国SiC材料和电力电子器件的原始创新能力。因此，报告旨在面向电力电子长远发展的战略需求，介绍SiC材料和器件的发展历程和存在的问题。讲座将从SiC单晶材料开始，依次介绍SiC衬底和外延的研究历程和进展，然后着重介绍SiC电力电子器件，主要包括肖特基二极管，MOSFET和IGBT。针对目前SiC功率器件的研究热点和最新进展，重点介绍SiC基MOSFET器件的近十年来的发展过程，及其在SiC功率器件中起到的承上启下作用。最后给出SiC材料与器件发展的总结和展望。

报告结束后，在座师生积极与张峰教授交流讨论，现场氛围非常活跃。同学们主要对SiC的衬底和外延技术以及应用前景提出了自己的想法和疑问，张峰教授耐心地阐释了自己对所提问题的见解与研究方法。讨论过程详细且充分，对师生们的学术研究具有积极的推动作用和深刻的指导意义，为本次高水平学术报告画上了圆满的句号。

结语：研究生高水平学术前沿讲座将不定期举行，请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。