6月8日上午，香港中文大学（深圳）教授、博士生导师、国家特聘青年专家周艳教授受邀在中国科大西校区电二楼102室作了题为“基于纳米磁结构的拓扑量子器件”的学术报告。微电子学院李鹏教授、高南研究员以及三十多位师生分别在线上线下聆听学习。

周艳教授2003年从中国科学技术大学获得本科学位，2009年从瑞典皇家工学院获得博士学位，2015年入选国家特聘青年专家。主要从事新一代自旋电子学器件研究，包括自旋电子振荡器、磁存储器和磁斯格明子的信息处理和存储应用，共发表论文200多篇，他引累计11000次，其中30余篇文章入选 Web Of Science 高引用论文。现担任 IEEE 高级会员和 Scientific Reports 编委、磁电领域专业期刊IEEE Magnetics Letters 编委会成员等。

报告围绕“新型纳米磁存储材料中的自旋拓扑结构”为话题展开，介绍了亚铁磁材料、反铁磁材料和阻挫材料体系中的磁性斯格明子的拓扑特性及其产生原理、操控方法、探测手段等方面的发展历程与研究前沿，前瞻性地分享了新型自旋拓扑结构在自旋电子学及量子计算和量子信息技术方面的应用前景。报告结束后，学生们积极提问，周艳教授耐心细致地进行解答，现场气氛轻松热烈。