2024年9月20日，北京大学博雅讲席教授沈波教授受邀在中国科学技术大学西区火灾特种楼二楼报告厅为学校师生作“第三代半导体技术和产业”学术讲座。本次报告属于研究生高水平学术前沿讲座，吸引了来自我校微电子学院、物理学院、先进技术研究院、核科学技术学院、纳米学院等多个学院师生参加。
沈波教授是北京大学博雅讲席教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任，长期从事GaN基宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了一系列研究成果，先后主持参加了20多项国家级科研项目，发表高质量论文400余篇，获得/申请国家发明专利80多件，与国内外多家知名企业开展了技术合作并实现了部分成果的产业化应用，荣获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、教育部科技进步一等奖等。
围绕第三代半导体技术及其产业发展情况，报告详细介绍了第三代半导体材料与器件在光电子、射频电子和功率电子等领域的重要应用，包括半导体照明、新型显示技术、电动汽车和智能电网等，突显了GaN、SiC材料在“新基建”和“中国制造2025”中的核心作用。全面阐述了第三代半导体的现状和发展趋势，剖析了面临的共性关键科学技术问题，并简述了国内主要研发机构、产业布局及企业分布。生动展示了北京大学在GaN基半导体材料和器件的研究进展，尤其是在大失配异质外延、缺陷研究、光电子以及功率电子器件方面的成果，突出了科研成果在产业化方面的应用。沈波强调，以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，因其独特的优异特性，已广泛应用于多个领域，并成为国家重大需求和国际高科技产业竞争中的关键核心技术。目前，正值这一技术加速产业化的关键窗口期，受到了学术界、产业界、中央和地方政府，乃至金融投资界的高度关注。他指出，新时代赋予青年学子无限的机遇，希望大家积极投身第三代半导体领域学习和研究，全力迎接技术变革的机遇和挑战，敢于梦想、大胆实践，刻苦学习、勇攀高峰，为我国在半导体领域取得领先地位贡献智慧与力量。
报告视野宽阔、立意高远、内容丰富、深入浅出，为在场师生提供了一次难得的学术盛宴。报告结束后，师生们积极与沈波教授交流讨论，现场氛围非常活跃。师生们主要针对氮化镓的外延生长技术以及宽禁带半导体器件技术未来发展趋势提出了自己的想法和疑问，沈波教授对师生们的问题一一耐心回答，阐释了自己对宽禁带半导体技术发展趋势的见解并给予了细节指导，尤其是分享了在氮化镓材料外延生长过程中如何抑制缺陷并提高质量的宝贵经验。讨论深入且充分，对师生们的学术研究具有积极的推动作用和深刻的指导意义。
结语：研究生高水平学术前沿讲座将不定期举行，敬请广大感兴趣的本科生、研究生密切关注研究生信息平台发布的学术报告信息，珍惜机会，积极参加。