近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic C_G(V_DS, V_GS)”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Transactions on Power Electronics。

  GaN HEMT具备高开关频率、低导通损耗能力，可实现高功率密度和高效率的电力电子变换器，在消费类电子、数据中心、新能源汽车车载充电与激光雷达等领域中具有广阔应用前景。然而极快的开关速度使得基于GaN器件的变换器存在开关振荡问题，包括电压、电流过冲和寄生开通等。开关瞬态分析模型可以在变换器设计阶段提前预测开关波形，是避免开关振荡的重要方案之一。而当前大多数开关分析模型难以兼顾使用的简单性、分析过程的清晰性以及波形预测结果的准确性。同时，当前的模型大多基于静态栅极电容特性，然而开关瞬态的精准建模还需要考虑V_DS与V_GS对动态栅极电容C_G(V_DS, V_GS)的影响。

  针对上述问题，课题组以p-GaN/AlGaN/GaN栅极结构中电荷存储为出发点，提出了一种基于高速开关过程中动态栅极电容C_G(V_DS, V_GS)的开关瞬态分析模型。该模型具备电路模态分析能力与器件动态栅极电容行为模拟能力，并兼容SPICE模型。基于开关过程模态解析，揭示并分析验证了电荷存储以及米勒效应在开关瞬态的影响机制。在双脉冲平台的变电压/变电流开关瞬态测试中，提出的动态栅极电容C_G(V_DS, V_GS)模型相较于传统静态栅极电容C_G(V_DS)模型展现出了更高的波形仿真与开关损耗评估精度，相较于传统静态栅极电容C_G(V_DS)模型可将模型精度提升~20%，在多项开关瞬态特性指标的拟合精度中达到90%以上。进一步地，采用DC-DC Buck电路验证了动态栅极电容C_G(V_DS, V_GS)开关瞬态分析模型的准确性。综上，本研究提出的基于动态栅极电容的GaN HEMT开关瞬态模型对于高速高压开关暂态分析、损耗预测以及高频功率变换器优化设计具有重要价值。

图1. (a) DPT测试平台; (b) 开关瞬态等效电路模型; 400 V阻断电压下, GaN HEMT开关瞬态实测波形与使用考虑动态栅极电容特性模型的仿真波形: (c) 关断瞬态, (d) 开通瞬态。

  我院杨树教授为论文通讯作者，博士生杜佳宏、课题组毕业生孙才恩和硕士生唐秋逸为论文共同第一作者，浙江大学吴新科教授与董泽政研究员为论文合作者。此项研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、台达电力电子科教发展计划等项目的资助。

  文章链接：10.1109/TPEL.2024.3465013

（微电子学院）