近日，我院高南特任研究员课题组在磁存储器研究中取得新进展，提出采用双轴体系构建器件，实现自旋轨道力矩磁存储器件的本征高效率无外场写入。该成果以“Intrinsic Solution to the Dilemma between High-Efficiency and External-Field-Free Spin–Orbit Torque Switching Based on Biaxial Devices”为题，近期发表在国际学术期刊《Nano Letters》上。磁随机存储器(MRAM)具有本征的非易失和近无限擦写特性，是后摩尔时代重要的新...

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  近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导...

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   近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament, CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity, Linearity, and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2–xOx Based Analog RRAM via S-Vacancy Confined Nanofilament”为题发表在知名学术...

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 近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)上做口头报告。IEDM是电子器件领域的国际知名会议，本届会议于2024年12月...

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11月25日，由ISSCC远东区委员会主办、中国科大国家示范性微电子学院承办的“芯片奥林匹克”IEEE 国际固态电路会议ISSCC 2025 中国区发布会顺利举行，中国科大党委常委、副校长吴枫出席会议并致辞，ISSCC国际技术委员会远东区主席Prof. Jaehyouk Choi，安徽省高新投公司副总经理、中安创谷公司董事长王芳，合肥高新区半导体投资促进中心主任刘绪勇，中国科大微电子学院党总支书记朱云浩，ISSCC国际技术委员会委员以及来自全国各地高...

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   近日，我院左成杰教授课题组一篇射频集成电路（RFIC）设计论文入选2024年第九届集成电路与微系统国际会议（The 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, ICICM）。ICICM 2024于10月25日至27日在湖北武汉举办。该研究成果获得了ICICM 2024的最佳论文奖以及最佳报告奖。  随着物联网（IoT）技术的发展，对超低功耗（ULP）无线传感器网络（WSN）的需求逐渐增加。事件驱动型唤...

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  近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS, VGS)”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Transactions on Power Electronics。  GaN HEMT具备高开关频率、低...

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       近日，中国科学技术大学微电子学院胡芹特任研究员课题组在钙钛矿软X射线探测器研究中取得新进展。团队基于钙钛矿半导体薄膜缺陷调控和PIN垂直型器件结构设计策略，实现了目前钙钛矿软X射线探测器中的最高量子效率。相关成果以“Flexible Soft X-Ray Image Sensors based on Metal Halide Perovskites With High Quantum Efficiency”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》上，并被选为卷首插图...

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 近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaN Lab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分辨率、高集成度、低...

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  近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modulation”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics。  垂直型GaN功率电...

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