近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaN Lab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分辨率、高集成度、低...

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  近日，我院杨树教授课题组在GaN功率电子器件浪涌特性研究中取得进展，自主研制出2 kV/0.45 mΩ·cm2双极型垂直GaN二极管，具有电导调制与优异的浪涌电流性能，相关成果以“Time-/Current-Dependent Surge Current Capability of Fully-Vertical GaN-on-GaN PiN Diode With Conductivity Modulation”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics。  垂直型GaN功率电...

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  近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授和高南特任研究员团队在自旋神经形态器件研究中取得新进展。研究团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发了具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示其了在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果以“An Antiferromagnetic Neuromorphic Memory Based on Perpendicularly Magnetized CoO”为题，近期发表在国际知名学术期刊《Nano Letters》上，并被选为封...

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  近日，我院孙海定教授和左成杰教授课题组在光电神经突触器件领域取得重要进展。受四色视觉系统的启发，研究团队报告了一种塑性可调控的宽光谱四色神经形态视觉突触器件。这种器件基于二维过渡金属硫族化合物和块状体材氮化镓（GaN）垂直堆叠而成的双通道浮栅晶体管架构，在电和光刺激的协同作用下，该器件成功地模拟了四色突触的基本行为。该成果以“Broadband Artificial Tetrachromatic Synaptic Devices Composed of 2D/...

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近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积 (ALD) 制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对 high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍 DRAM 技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质 k 值，同时降低了漏电。相关成果以“Oxidizer Engineering ...

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  近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN Lab课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在仿生光电神经感知器件的前沿研究中取得了重要进展。研究团队成功开发了以第三代半导体氮化镓（GaN）为核心材料的光电神经突触器件，实现了具有化学调控的神经形态功能。该器件首次提出利用光电化学器件架构，结合传统半导体构筑新型半导体/电解质异质界面，并逼真模拟了生物体中的复杂视觉行为。该成果以“Optoelectronic synapses with c...

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近日，我院龙世兵教授团队在国际知名期刊《Applied Physics Letters》上发表了题为“Alpha Particle Detection Based on Low leakage and High-barrier vertical PtOx/β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode”的研究论文（图1），并受到美国物理学联合会《科学之光》(AIP Scilight)的专访报道（图2）。 图 1《科学之光》是美国物理联合会出版社(AIP publishing)出版的网络周刊，致力于挑选AIP发表的物理领域最新的、最具...

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   6月16日至6月21日，2024年国际微波会议（IMS 2024，全称为：2024 IEEE International Microwave Symposium）在美国华盛顿哥伦比亚特区举办。IEEE IMS是国际微波领域的全球著名学术会议，今年在微波声学方向仅收录5篇Oral论文，其中我院左成杰教授课题组的1篇论文成功入选。 图1 参会人员在IMS 2024做口头报告  在现代无线通信技术的发展过程中，随着数据传输需求的大幅增加，毫米波频段因其具有大带宽和高...

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近日，我院石媛媛教授课题组设计并实现了一种直接在硅片上制造大规模单层(Monolayer, ML)单晶 MoS2高性能晶体管阵列的集成方法，相关研究成功入选2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits（以下简称VLSI Symposium）。VLSI Symposium是集成电路领域最具盛名的三大国际顶级会议（IEDM, ISSCC和VLSI）之一，今年VLSI Symposium于6月16日至20日在美国夏威夷举行，会议汇集了世界各地行业和学术界的工程师和科学家，讨论超大规...

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       近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，IEEE ISPSD 2024于今年6月2日至6月6日在德国举办。中国科大微电子学院郑柘炀特任教授和...

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