3月10日，集成电路实验中心三室磁控溅射顺利入场，中心在微纳加工平台建设上迈出坚实的一步，为前沿科研探索、高端人才培养及产业协同创新注入新的动能。

（配图：磁控溅射设备搬入）

      作为集成电路制造工艺中的核心装备之一，磁控溅射设备肩负着金属薄膜沉积、电极制备、先进器件研发等关键任务。本次入驻的三室磁控溅射设备具备多靶材共溅射、高精度膜厚控制等突出优势，能够支持从基础材料研究到复杂结构器件制备的全流程工艺需求，其灵活的多chamber设计与高度自动化的控制系统，可满足不同群体对工艺重复性、稳定性和定制化的高标准要求。

（配图：磁控溅射设备）

      集成电路实验中心始终致力于构建产学研深度融合的开放平台，磁控溅射设备的投入使用，让师生在真实的工艺环境中理解材料沉积机理与器件制造流程。同时，中心面向企业开放设备与技术支持，提供从工艺开发到性能测试的全链条服务。未来，集成电路实验中心将持续引进关键工艺设备，完善工艺模块布局，打造集人才培养、科学研究和产业服务于一体的综合性平台。我们期待与广大师生和企业伙伴携手并进，共同探索集成电路技术的无限可能。

（集成电路学院、国家示范性微电子学院）