3月26日，集成电路实验中心开放日系列活动第十场——设备现场精细化培训之离子注入机设备专场顺利开展。离子注入技术是一种对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，与常规的热掺杂工艺相比，离子注入技术可对注入剂量、角度、深度、注入位置、横向扩散等方面进行精确控制，克服了常规工艺限制，提高了器件的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此被广泛应用于逻辑芯片、存储器件、功率器件、传感器等高端半导体领域，是支撑芯片性能迭代与产业技术升级的不可或缺的核心技术。

       培训现场，技术人员围绕离子注入机的工作原理、核心结构与工艺全流程展开深度讲解，重点针对设备参数优化、注入剂量与能量精准控制、安全操作规范及日常运维维护等核心内容进行细致培训。通过理论讲授、现场演示与互动答疑相结合的模式，帮助参训学生全面掌握离子注入机的应用逻辑与实操要领。

       参训学生纷纷表示，此次培训内容详实、讲解透彻，不仅加深了对离子注入技术的理论认知，更通过现场实操演示直观了解了设备运行的关键环节，对今后的科研实践和创新能力提升具有切实帮助。“之前对离子注入机的理解更多停留在书本层面，这次培训让我对设备的实际操作和参数调控有了更清晰的认识。”一位参与培训的学生分享道。

       此次离子注入机设备专场培训，是实验中心聚焦核心工艺装备、深化实践育人的重要举措，下一步，集成电路实验中心将继续以开放日系列活动为载体，聚焦关键设备与核心工艺，持续开展高质量实操培训，切实提升学生工程实践能力与专业素养，为集成电路产业发展夯实人才基础。

（集成电路学院、国家示范性微电子学院、集成电路实验中心）