9月8日，集成电路实验中心开放日系列活动二十三——设备现场精细化培训之湿法台设备专场顺利开展。湿法工艺是集成电路微纳器件制备的基础性核心工艺，是光刻、薄膜沉积、刻蚀、离子注入等高端工艺的重要前置与配套工序，对晶圆表面状态优化、器件结构成型、工艺良率提升起到重要性作用。凭借工艺适配性广、可控性强、稳定性高等优势，湿法腐蚀与湿法清洗技术广泛应用于半导体晶圆预处理、介质薄膜去除、微纳结构剥离、器件表面精密净化等科研与实训场景，是半导体工艺研发、教学实践及产业化应用中不可或缺的必备核心技能。

本次培训聚焦实验中心两台核心湿法工艺设备WS-1-ETCH湿法腐蚀台与WS-2-Clean湿法清洗台开展专项精细化教学。WS-1-ETCH湿法腐蚀台是面向半导体微纳结构制备的专用精密腐蚀工艺设备，主打精准、可控的材料湿法刻蚀加工。设备依托模块化槽体结构与高精度温控、液路调节系统，可根据工艺需求配比氢氟酸、磷酸、氢氧化钾等各类腐蚀药液，实现二氧化硅、氮化硅、金属薄膜、硅基材料的选择性湿法腐蚀与微纳结构剥离。设备具备腐蚀速率稳定、图形边缘平整度高、工艺重复性好的特点，支持小批量晶圆与芯片样品的精细化刻蚀加工，适配器件结构成型、薄膜去除、图案剥离等科研与教学实验场景，是开展低成本、高精度湿法刻蚀实验的核心设备。

WS-2-Clean湿法清洗台专注晶圆及芯片样品的全流程精密清洗工艺。设备集成多级清洗槽、去离子水冲洗系统、恒温烘干系统与废液合规处理系统，可完成标准RCA清洗、有机溶剂清洗、酸碱去污、颗粒杂质去除、表面氧化层清理等多元化清洗工序，能够高效清除晶圆表面的有机残留、金属杂质、微颗粒及工艺残胶。设备支持清洗时序、水流速率、工艺温度、浸泡时长的精细化调节，可适配晶圆预处理、刻蚀后清洗、沉积前净化、器件成品精洗等全流程场景，优化晶圆表面状态，规避杂质污染导致的工艺良率下降问题，是保障后续光刻、沉积、刻蚀等高端工艺精度的重要配套设备。

培训过程中，工程师围绕湿法腐蚀、湿法清洗的核心技术原理、完整工艺逻辑展开深度讲解，系统梳理两类湿法设备的功能定位与应用差异，同时，结合集成电路晶圆加工、微纳器件制备、薄膜工艺预处理等真实实验与科研场景，针对性解读了腐蚀液配比、清洗时序把控、工艺温度与时间调试、晶圆表面质量管控、常见工艺缺陷整改等核心实操技巧，全方位、精细化讲解湿法工艺实操要点，帮助参训师生夯实工艺理论基础、规范设备操作流程。

（集成电路学院、国家示范性微电子学院、集成电路实验中心）