9月18日和25日，微电子学院2024级的代培生们，怀揣着报效国家的热枕之心，分批次参观了中国科学技术大学校史馆和博物馆。本次参观不仅帮助同学们深入了解科大历史，更是一次精神洗礼，激励同学们以老一辈科学家为榜样，积极为国家芯片事业的发展贡献自身力量。博物馆参观期间，同学们被馆内丰富的展品深深吸引，它们不仅展示了学校不同时期的文化、艺术、历史风貌，更让同学们感受到了科大在社会文化传承中的重要作用。一件件历史...

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9月22日，微电子学院学生会召开2024-2025学年第一次全体大会。学生会的新老成员齐聚东校区，通过工作培训、座谈交流、团建活动等形式，薪火相传、以老带新，帮助新加入的同学尽快熟悉学生会的工作流程，凝聚起学生组织的强大合力。青蓝相接，“芯”火相传会议于下午3时开始，院学生会主席团成员司旌宏、潘韵、王永琳三位同学依次介绍学生会的目标、职责与任务。司旌宏介绍了院学生会的性质与职能，并围绕学生会的架构设置，分别对...

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  近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授和高南特任研究员团队在自旋神经形态器件研究中取得新进展。研究团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发了具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示其了在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果以“An Antiferromagnetic Neuromorphic Memory Based on Perpendicularly Magnetized CoO”为题，近期发表在国际知名学术期刊《Nano Letters》上，并被选为封...

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  近日，我院孙海定教授和左成杰教授课题组在光电神经突触器件领域取得重要进展。受四色视觉系统的启发，研究团队报告了一种塑性可调控的宽光谱四色神经形态视觉突触器件。这种器件基于二维过渡金属硫族化合物和块状体材氮化镓（GaN）垂直堆叠而成的双通道浮栅晶体管架构，在电和光刺激的协同作用下，该器件成功地模拟了四色突触的基本行为。该成果以“Broadband Artificial Tetrachromatic Synaptic Devices Composed of 2D/...

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正值中秋佳节来临之际，2024年9月16日，2022级本科生团支部在高新园区举行了假期观影活动，集体观看了红色经典战争影片《辽沈战役（下）》，引导同学们进一步坚定理想信念，传承红色基因，牢记初心使命，担当时代责任，勤奋学习、红专并进，争做“有理想、敢担当、能吃苦、肯奋斗”的“芯”时代好青年。《辽沈战役》是中国革命战争题材影片的代表作之一，其中下部聚焦了1948年10月至11月期间，人民解放军在东北战场上对国民党军队...

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2024年9月11日下午，微电子学院研究生新生开学典礼暨入学教育大会在高新校区师生活动中心GH-104报告厅举行，学院执行院长龙世兵、副院长杨树、学院党政领导、教师代表及2024级全体新生出席典礼，活动由学院党总支书记朱云浩主持。伴随着《永怀初心》《科学之光》《月是故乡明》等老科学家系列微电影展播，入学教育缓缓拉开帷幕。在雄壮的国歌声中，入学典礼正式开始。龙世兵代表学院发表迎新致辞，向全体新生表示热烈的祝贺和诚挚...

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为深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想和党的二十届三中全会精神，认真贯彻落实习近平总书记关于青年工作的重要思想，充分发挥“青马工程”为党育人的政治功能，着力培养“有理想，敢担当，能吃苦，肯奋斗”的青年马克思主义者，微电子学院于2024年8月至9月开展了青年马克思主义者培养工程院级团校。本次院级团校共安排了八个学时的培训内容，理实结合、形式多样、内容丰富，学院共44名本科新生参加了此次培训。8月26日...

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为进一步规范党员组织关系管理，切实做好新生党员档案审核和组织关系转接工作，切实把好党员组织关系转接“入口关”，确保新生党员档案真实、完整、规范，微电子学院党总支于9月5日在高新校区学科一号楼A420室召开了党支部书记工作例会暨新生党员档案审查工作会议。学院党总支书记朱云浩主持会议，各党支部书记、支委参加本次会议。会上，朱云浩强调了党员档案审查工作的重要性，并对新生党员档案审查的具体流程和注意事项进行了详...

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为学习宣传贯彻全国教育大会精神，进一步加强新时代高素质专业化教师队伍建设，压紧压实师德师风建设主体责任，9月11日，微电子学院在高新校区师生活动中心GH-104报告厅召开了新学期全体教职工大会暨师德师风警示教育大会。会议由学院党总支书记朱云浩主持。会议传达学习了习近平总书记在全国教育大会上的重要讲话精神。会议强调，学习宣传贯彻习近平总书记重要讲话和大会精神，是当前和今后一个时期重大的政治任务，各级党组织要...

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近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积 (ALD) 制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对 high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍 DRAM 技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲 - 高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质 k 值，同时降低了漏电。相关成果以“Oxidizer Engineering ...

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