近日，我院龙世兵教授团队在国际知名期刊《Applied Physics Letters》上发表了题为“Alpha Particle Detection Based on Low leakage and High-barrier vertical PtOx/β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode”的研究论文（图1），并受到美国物理学联合会《科学之光》(AIP Scilight)的专访报道（图2）。 图 1《科学之光》是美国物理联合会出版社(AIP publishing)出版的网络周刊，致力于挑选AIP发表的物理领域最新的、最具...

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   6月16日至6月21日，2024年国际微波会议（IMS 2024，全称为：2024 IEEE International Microwave Symposium）在美国华盛顿哥伦比亚特区举办。IEEE IMS是国际微波领域的全球著名学术会议，今年在微波声学方向仅收录5篇Oral论文，其中我院左成杰教授课题组的1篇论文成功入选。 图1 参会人员在IMS 2024做口头报告  在现代无线通信技术的发展过程中，随着数据传输需求的大幅增加，毫米波频段因其具有大带宽和高...

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近日，我院石媛媛教授课题组设计并实现了一种直接在硅片上制造大规模单层(Monolayer, ML)单晶 MoS2高性能晶体管阵列的集成方法，相关研究成功入选2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits（以下简称VLSI Symposium）。VLSI Symposium是集成电路领域最具盛名的三大国际顶级会议（IEDM, ISSCC和VLSI）之一，今年VLSI Symposium于6月16日至20日在美国夏威夷举行，会议汇集了世界各地行业和学术界的工程师和科学家，讨论超大规...

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       近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs（IEEE ISPSD）。IEEE ISPSD是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，IEEE ISPSD 2024于今年6月2日至6月6日在德国举办。中国科大微电子学院郑柘炀特任教授和...

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近日，我院龙世兵教授课题组在氧化镓高能光子探测器研究中取得新进展。针对宽带隙半导体高能光子探测器在高分辨率成像应用等方面的遇到的挑战，该课题组提出一种基于氧化镓材料的光控二极管的结构设计策略（即光照下具有高整流特性）以解决平面阵列集成中的电学串扰及高分辨率成像应用实现困难等问题。该工作充分体现了光控二极管在阵列成像领域的应用潜力，为实现高集成密度及高分辨率的成像阵列提供了一种新的参考，相关成果以“...

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近日，中国科学技术大学微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题，该课题组成功构建钙钛矿同质结以促进光生载流子的分离和提取，并结合第一性原理计算进一步分析缺陷形成机制。光伏器件效率和稳定性的同步提升证明同质结构筑策略在锡基钙钛矿太阳能电池领域的应用潜力，也为其他钙钛矿光电器件的结构优化提供了一种...

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 近日，我院龙世兵教授课题组在DRAM ZrO2介质电容器可靠性研究方面取得新进展。针对DRAM电容厚度微缩带来的介质可靠性问题，提出通过添加铝掺非晶保护层的设计策略，阻断了电容器在电压偏置时产生的氧空位导电细丝，改善介质经时绝缘击穿特性（图1）。该工作为进一步优化超薄锆基介电氧化物电容器提供了一种新的参考，相关成果以“Enhanced TDDB-Reliability of Ultra-Thin Zirconia Capacitors Featuring Al-Doped Oxide Lay...

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  近日，我院胡芹研究员课题组在钙钛矿半导体X射线探测器研究中取得新进展。针对用于X射线探测的非铅铋基钙钛矿半导体传统制备方法存在的缺陷密度高、器件性能差的问题，该课题组开发了PPG成核调控策略（PCN策略）成功生长了缺陷更少、结晶性更好的Cs3Bi2I9单晶，制备了探测和成像性能更好的X射线探测器。相关成果以“Defect mitigation in lead-free Cs3Bi2I9 single crystals for high performance X-ray detection an...

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随着人工智能时代的到来和数字化转型的深入发展，对用于高速数据传输和高性能数据计算的半导体芯片的需求不断增长。其中，以光子作为信息载体的光电集成芯片及其相关技术的潜力正不断被挖掘和开发，凸显出它们在突破现有电子系统技术瓶颈与极限的可能性。光电二极管作为光电集成芯片中必需的基本元件，已被广泛应用于发光二极管（LED）、激光器、探测器等。然而，无论是作为发光单元还是探测单元的光电二极管，均需配置相应的外部...

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   近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组在氧化镓高能光子探测器研究中取得新进展。针对宽带隙半导体高能光子探测器在探测灵敏度及响应速度等方面的不足，该课题组基于多晶富镓的氧化镓材料（PGR-GaOX）首次提出通过耦合界面热释电效应和光电导效应来提高探测性能的设计策略，该工作充分体现了热释电效应在半导体光电探测领域的应用潜力，为实现高灵敏、高速探测器提供了一种新的参考，相关成果以“Pyroele...

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