近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的四款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域著名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2025于今年2月16日至20日在美国旧金山举行。 该课题组的潘东方特任研究员以及靳吉、尚铭皓和黄琪...
了解详情近日，我院胡芹特任研究员课题组与合肥光源催化与表面科学线站的科学家合作，在无铅钙钛矿光伏器件研究中取得重要进展。研究团队不仅成功利用光诱导界面掺杂调控策略有效提升了锡基光伏器件的效率和稳定性，还通过设计独特的基于同步辐射X射线光电子能谱技术的原位光照实验装置，深度剖析了光诱导界面掺杂调制的物理机制。光电子能谱原位测试分析表明，光诱导界面掺杂的存在能够改善锡基钙钛矿能带匹配，促进载流子的分离和...
了解详情近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN实验室联合合肥微尺度物质科学国家研究中心熊宇杰教授团队和武汉大学刘胜院士团队，在光电化学制氢领域取得重要进展。研究团队通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时（首次将光电极寿命从“小时级”（<100小时）推进至“月级”），成功突破了传统光电制氢装置在效率和...
了解详情近日，我院高南特任研究员课题组在磁存储器研究中取得新进展，提出采用双轴体系构建器件，实现自旋轨道力矩磁存储器件的本征高效率无外场写入。该成果以“Intrinsic Solution to the Dilemma between High-Efficiency and External-Field-Free Spin–Orbit Torque Switching Based on Biaxial Devices”为题，近期发表在国际学术期刊《Nano Letters》上。磁随机存储器(MRAM)具有本征的非易失和近无限擦写特性，是后摩尔时代重要的新...
了解详情近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导...
了解详情近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament, CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity, Linearity, and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2–xOx Based Analog RRAM via S-Vacancy Confined Nanofilament”为题发表在知名学术...
了解详情近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)上做口头报告。IEDM是电子器件领域的国际知名会议，本届会议于2024年12月...
了解详情11月25日，由ISSCC远东区委员会主办、中国科大国家示范性微电子学院承办的“芯片奥林匹克”IEEE 国际固态电路会议ISSCC 2025 中国区发布会顺利举行，中国科大党委常委、副校长吴枫出席会议并致辞，ISSCC国际技术委员会远东区主席Prof. Jaehyouk Choi，安徽省高新投公司副总经理、中安创谷公司董事长王芳，合肥高新区半导体投资促进中心主任刘绪勇，中国科大微电子学院党总支书记朱云浩，ISSCC国际技术委员会委员以及来自全国各地高...
了解详情近日，我院左成杰教授课题组一篇射频集成电路（RFIC）设计论文入选2024年第九届集成电路与微系统国际会议（The 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems, ICICM）。ICICM 2024于10月25日至27日在湖北武汉举办。该研究成果获得了ICICM 2024的最佳论文奖以及最佳报告奖。 随着物联网（IoT）技术的发展，对超低功耗（ULP）无线传感器网络（WSN）的需求逐渐增加。事件驱动型唤...
了解详情近日，我院杨树教授课题组在GaN HEMT开关瞬态建模研究中取得新进展。研究团队提出了一种基于动态栅极电容特性的p-GaN栅HEMT开关瞬态分析模型，可精准预测GaN HEMT在高速高压开关过程中的瞬态行为，相关成果以“An Efficient Switching Transient Analytical Model for P-GaN Gate HEMTs With Dynamic CG(VDS, VGS)”为题发表于电力电子领域期刊IEEE Transactions on Power Electronics。 GaN HEMT具备高开关频率、低...
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