近日，中国科大微电子学院左成杰教授课题组两篇论文入选2023年国际微波会议（IMS，全称为：IEEE International Microwave Symposium）。IEEE IMS是国际微波领域的全球著名学术会议，IMS 2023于6月11日至16日在美国San Diego举办，今年在微波声学方向总共只收录了六篇Oral论文，其中包括中国科大的两篇。 随着无线通信从5G向Beyond 5G (B5G)和6G发展，有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 7，而更多的国家在考虑将...
了解详情近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。IEEE ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域在国际上重要的知名学术会议，ISPSD 2023于今年5月28日至6月1日在中国香港举办。会上，龙世兵教授受邀作了题为“Gallium Oxide Vertical Power Devices: Technology, Design and Applications”的大会Short cou...
了解详情神经形态计算旨在利用硬件和软件算法来模拟生物神经系统的结构和功能单元，从而构建出类似于大脑的具有自主学习能力和认知功能的高能效智能计算系统。为了在硬件上实现神经形态计算，需要寻找低能耗的新型电子器件来模拟神经突触的功能。随着二维材料制备工艺的快速发展，基于二维材料的突触器件研究越来越受到关注。 近日，我院左成杰教授与孙海定研究员组成的联合研究团队在低能耗浮栅型突触器件方面取得进展。该团...
了解详情近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...
了解详情近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...
了解详情近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议。
了解详情随着无线通信从5G向Beyond 5G（B5G）和6G发展，对于6 GHz以上电磁波频谱的使用国际上还存在争论，有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 6E，而更多的国家在考虑把此频段部分用于蜂窝无线通信（6G）。因此，源于对不同制式和频段间信号的隔离需求，工作于6 GHz的高品质因数（Q值）声波谐振器以及高性能滤波器将会成为下一阶段无线通信发展的关键技术，也是我国6G技术发展必须要自主可控的基础射频元器件与芯片。
了解详情近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的两款电源管理芯片（高效率低EMI隔离电源芯片和快速大转换比DC-DC转换器芯片）亮相集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference （ISSCC）。ISSCC是国际上最尖端芯片技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC2022于今年2月20日至28日在线上举行。
了解详情由于臭氧层的吸收，波长介于200-280 nm之间的紫外光在地表可以忽略不计，遂称之为日盲紫外波段。工作在此波段的日盲探测器具有较低的背景噪声，使得其在保密通信、国土防御、臭氧及污染物监测等方面具备极大的应用潜力。目前，已有大量的宽禁带半导体材料用于日盲紫外探测器的研究，如GaN、SiC、Ga2O3等。其中，Ga2O3的禁带宽度为4.7~5.3 eV，吸收截止边小于280 nm，为日盲紫外探测器的优选材料。然而，大部分已报导的日盲紫外探测...
了解详情