为深入学习贯彻宣传党的二十大精神，坚持不懈用习近平新时代中国特色社会主义思想凝心铸魂，充分发挥基层党组织战斗堡垒作用，根据学校《关于召开2022年度党支部组织生活会和开展民主评议党员的通知》文件要求，3月16日下午，微电子学院本科生党支部在高新园区召开了2022年度组织生活会并开展民主评议党员工作。会议由微电子学院本科生党支部书记周远远主持，学院党总支书记朱云浩列席会议。会前，党支部采取集体学习、个人自学、...

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为深入学习贯彻党的二十大精神，坚持不懈用习近平新时代中国特色社会主义思想凝心铸魂，3月16日下午，微电子学院2022级硕士第二党支部在高新区图教中心GTB-102教室召开2022年度组织生活会，开展民主评议党员工作。会议由支部书记王诗琪同志主持，学院党务秘书赵佳佳老师列席会议。开展本次组织生活会和民主评议党员，是学习贯彻党的二十大精神的重要举措。在本次组织生活会召开之前，支部成员通过主题党日活动集中学习、党员个人自...

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 习近平总书记在党的二十大报告中强调：“必须牢固树立和践行绿水青山就是金山银山的理念，加快推进美丽中国建设。”为深入学习宣传贯彻党的二十大精神，以实际行动践行习近平生态文明思想，为建设环境优美的美丽安徽增添绿色动能，3月11日，微电子学院2022级中微集成电路科技英才班及班级团支部在滨湖国家森林公园开展了“义务植树添‘芯’绿、生态文明植‘芯’底”春季义务植树活动。 上午7点25分，晨光熹微，同学们于...

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为深入学习贯彻党的二十大精神，坚持不懈用习近平新时代中国特色社会主义思想凝心铸魂，不断增强党支部组织力、凝聚力和战斗力，根据学校《关于召开2022年度党支部组织生活会和开展民主评议党员的通知》（党组字〔2023〕4号）文件要求，3月15日下午，微电子学院2022级硕士第一党支部在高新园区图书教育中心GTB-103室召开了2022年度组织生活会并开展民主评议党员活动。会议由党支部书记李傲主持。会前，党支部通过党课辅导、座谈交...

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  今年2月初，中国科学技术大学电子科学与技术专业大四学生黄琪奥收获了自己设计完成的第一颗芯片。3月9日，记者从中国科大获悉，作为一项创新举措，微电子学院在本科生中开设“芯片设计实践”专业选修课，目前已有34名学生完成从芯片设计到流片的全过程实践。这意味着在“高门槛”芯片设计领域，中国科大正尝试培养具有扎实理论与实践经验的年轻力量和顶尖人才。这些学子毕业后将投身国内芯片设计领域，为国家集成电路事业自...

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为深入贯彻落实习近平总书记关于教育和科技的重要论述精神，扎实推进科教融合，着力培养具有扎实理论与实践经验的芯片设计人才，微电子学院程林老师和白雪飞老师自2021年秋季学期起开设了本科生专业选修课“芯片设计实践”，教授芯片设计全流程及相关理论与方法，完成从设计到流片的全过程实践，切实提升高年级本科生的芯片设计工程实践能力。 “芯片设计实践”理论课教学过程与结题汇报 “芯片设计实践”主要面向具备集...

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为进一步强化党组织示范引领和党员先锋模范作用，帮助做好学生返校工作，引导学生尽快从假期模式调整为学习模式，2023年2月28日下午，微电子学院2022级硕士第二党支部在高新区GTB-103教室召开了支部党员大会暨“开学第一课”主题党日活动。本次会议由党支部书记王诗琪同志主持。会上，大家集体学习了习近平总书记2月16日在中央政治局常务委员会会议上的重要讲话精神和在主持中央政治局第三次集体学习时的重要讲话精神。会议指出，...

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      ISSCC全称为International Solid State Circuits Conference，国际固态电路会议，是由IEEE 固态电路协会（SSCS）主办的半导体芯片设计国际学术会议。ISSCC是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，长期以来代表着全球固态电路领域研发趋势的领先风向，有“集成电路领域的奥林匹克”之称，每年吸引了超过3000名来自世界各地学术、产业界人士参加。在2023年2月19-24日美国旧金山召开的ISSCC上，我院林福...

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近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...

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近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...

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