近日，中国科大微电子学院程林教授课题组联合澳门大学罗文基教授团队，在超低温量子接口基准电路研究中取得重要进展。该研究首次提出了无需修调的超低温低功耗CMOS电压基准，能够同时实现温度和工艺的自补偿。相关研究成果以“A 76.9 ppm/K Nano-Watt PVT-insensitive CMOS Voltage Reference Operating from 4 K to 300 K for Integrated Cryogenic Quantum Interface”为题在2025年固态电路领域著名学术期刊Journal of Solid-State Circuits（JSSC）上发表。  随着量子计算技术的快速发展，量子处理器在量子比特质量、可扩展性、量子纠错、环境控制、计算精度等方面提出了更加严苛的要求。目前大多数量子计算机（如超导量子计算机...

新学期伊始，微电子学院2022级本科1班团支部于2025年2月26日上午在高新校区召开了2025年春季学期的首次班会。本次班会以“用‘芯’规划未来，筑牢健康防线”为主题，旨在帮助同学们更清晰地明确自身职业方向，并进一步强化健康安全意识。班会由班主任潘思园老师主持。潘思园首先汇报了上学期团支部和班级的整体情况。她强调，在班委的积极组织和同学们的大力支持下，班级活动丰富多彩，学习成效显著。多个团学活动荣获校级优秀称号，团支部也被授予校“五四红旗团支部”的荣誉。此外，超过半数同学的成绩较上一学期有了明显提升。潘老师指出，大三下学期是至关重要的一年，专业课门类丰富多样，大家将有机会从不同层面和角度全面了解集成电路专业...

       近日，被誉为“集成电路设计奥林匹克大会”的第72届国际固态电路会议（International Solid-State Circuits Conference, ISSCC）在美国旧金山召开。2月16日晚，大会颁发了2024-2025年度IEEE固态电路学会博士成就奖（IEEE SSCS Predoctoral Achievement Award），全球共计26名优秀博士生获此殊荣，我院程林教授课题组博士生靳吉荣获该奖。  该奖项始设立于1983年，每年2月中旬在美国旧金山召开的ISSCC会议上颁发，是集成电路设计领域颁发给在读博士生的最高学术荣誉。该奖评审委员会由国际工业界、学术界知名专家组成，评定过程客观严谨，主要从学术成果的技术变革性、工业应用价值、学术影响力等方面进行综合评...

       近日，中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的四款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域著名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2025于今年2月16日至20日在美国旧金山举行。  该课题组的潘东方特任研究员以及靳吉、尚铭皓和黄琪奥三位同学分别为入选论文的第一作者，程林教授为通讯作者，工作的方向涵盖了低EMI多核架构隔离电源芯片、高效率单模式降压-升压转换器芯片、低纹波快速电压缩放的5G电源调制器芯片和高效率双谐振拓扑隔离电源芯片。...

  近日，我院胡芹特任研究员课题组与合肥光源催化与表面科学线站的科学家合作，在无铅钙钛矿光伏器件研究中取得重要进展。研究团队不仅成功利用光诱导界面掺杂调控策略有效提升了锡基光伏器件的效率和稳定性，还通过设计独特的基于同步辐射X射线光电子能谱技术的原位光照实验装置，深度剖析了光诱导界面掺杂调制的物理机制。光电子能谱原位测试分析表明，光诱导界面掺杂的存在能够改善锡基钙钛矿能带匹配，促进载流子的分离和提取，从而显著提升器件的开路电压。这为锡基钙钛矿光伏器件的进一步发展提供了新的理论基础和技术积累，相关成果以“Boosting Tin Perovskite Solar Cell Performance via Light-Induced Interface Doping”为题，...

   近日，我校微电子学院孙海定教授iGaN实验室联合合肥微尺度物质科学国家研究中心熊宇杰教授团队和武汉大学刘胜院士团队，在光电化学制氢领域取得重要进展。研究团队通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时（首次将光电极寿命从“小时级”（<100小时）推进至“月级”），成功突破了传统光电制氢装置在效率和可靠性上的瓶颈，达到国际领先水平，为下一步规模化制氢应用打下基础。该成果以“Enhanced solar hydrogen production via reconfigured semi-polar facet/cocatalyst heterointerfaces in GaN/Si photocathodes”为...

  近日，我院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿结晶调控与缺陷机理分析研究中取得新进展。针对无铅锡基钙钛矿半导体中易被氧化、快速结晶、稳定性差等问题，该课题组设计了一种减缓钙钛矿结晶的分子桥接优化策略，有效提升了薄膜结晶质量，抑制了光生载流子的非辐射复合，并利用基于同步辐射X射线的原位散射技术监测了锡基钙钛矿的结晶过程，阐述了结晶动力学机理。该工作为深入了解无铅锡基钙钛矿结晶动力学和锡基钙钛矿半导体器件的进一步发展提供了理论基础和技术积累。相关成果以“Regulated Crystallization Through Intermolecular Interactions Bridging for Efficient Tin-Based Perovskite Solar Cells”为题发表于国际知名期刊《S...

   近日，我院石媛媛教授团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器（RRAM）的阻变层中加入单层（ML）MoS2来控制导电细丝（conductive filament, CF）的形成，极大提升了模拟型RRAM的均一性、线性和对称性，相关成果以“Uniformity, Linearity, and Symmetry Enhancement in TiOx/MoS2–xOx Based Analog RRAM via S-Vacancy Confined Nanofilament”为题发表在知名学术期刊《Nano Letters》上。   模拟型RRAM因其能够实现低功耗、多级电导状态的阻变行为，能够模拟生物突触的记忆行为，在神经形态计算和边缘计算上有广阔的应用前景。但是由于CF的随机形成，模拟型RRAM在电...

2025年1月3日周五晚上，微电子学院2021级本科班在高新校区师生活动中心320教室举办了一场与众不同的迎新年联欢会。此次活动内容丰富多彩，同学们度过了一个愉快难忘的夜晚。迎新年联欢会以传统的写春联、写福字环节拉开序幕。同学们挥毫泼墨，挥洒着对新年美好的期许和祝福，营造出浓厚的节日氛围。每一副春联和福字都是大家用心书写的祝福，寓意着新的一年将充满幸福和吉祥，也展现了同学对传统文化的热爱与尊重。在中国结制作区域，桌上摆放着各色珠绳。很多同学都是第一次参与中国结的编织，展现了极大的热情，认真学习着编织技巧，慢慢交织绳子，互相帮助，共同完成了一件件精美的中国结作品。窗花制作区域，五彩纸张和剪刀摆放整齐。同学们...

 近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)上做口头报告。IEDM是电子器件领域的国际知名会议，本届会议于2024年12月7日至11日在美国旧金山举行。 千伏级功率器件在光伏、工业电机、电动汽车、医疗供电等领域具有广阔应用前景。垂直型GaN-on-GaN功率器件能够拓展传统GaN器件的电压和功率等级，并具有优异的散热和动态性能。当前...